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1. (WO2014207877) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/207877    International Application No.:    PCT/JP2013/067723
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 27.06.2013
IPC:
G01N 27/00 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventors: YANAGI Itaru; (JP).
TAKEMURA Riichiro; (JP).
YANAGAWA Yoshimitsu; (JP).
YOKOI Takahide; (JP).
ANAZAWA Takashi; (JP)
Agent: SEIRYO I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a method for integrating an FET sensor having nanopores and equipped with a side gate having extremely high sensitivity, as a device for identification and sequencing of the four bases of DNA without the use of a test reagent in a next-generation DNA sequencer; and a semiconductor device in which an FET sensor having nanopores and equipped with a side gate is furnished with a select transistor and an amplify transistor, in order to read out changes in detected current based on differences in charges between the four bases, with no loss of detection sensitivity.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant l'intégration d'un capteur TEC comportant des nanopores et équipé d'une grille latérale présentant une sensibilité extrêmement élevée, en tant que dispositif destiné à l'identification et au séquençage des quatre bases de l'ADN sans utiliser de réactif de test dans un séquenceur d'ADN de nouvelle génération ; et un dispositif à semi-conducteur dans lequel un capteur TEC comportant des nanopores et équipé d'une grille latérale est pourvu d'un transistor de sélection et d'un transistor d'amplification, en vue de lire des variations dans un courant détecté sur la base de différences dans des charges entre les quatre bases, sans perte de sensibilité de détection.
(JA) 次世代DNAシーケンサにおいて、試薬を用いないDNAの4種塩基識別および配列解読のためのデバイスとして極めて高い感度を有するサイドゲートを具備したナノポアを有するFETセンサを集積化する方法、及びその検出感度を損なうことなく、4種塩基の電荷の相違に基づく検出電流変化を読み出せるようにするために、サイドゲートを具備したナノポアを有するFETセンサに対して、選択トランジスタ、増幅トランジスタを設けた半導体装置を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)