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Pub. No.: WO/2014/207853 International Application No.: PCT/JP2013/067564
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 26.06.2013
H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
Applicants: THE UNIVERSITY OF ELECTRO-COMMUNICATIONS[JP/JP]; 1-5-1, Chofugaoka, Chofu-shi, Tokyo 1828585, JP
NIHON DENGYO KOSAKU CO., LTD.[JP/JP]; 7-15, Kudan-minami 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020074, JP
Inventors: NOZAKI, Shinji; JP
SHIRATO, Tadashi; JP
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
Priority Data:
(JA) 整流素子
Abstract: front page image
(EN) A rectifying element is provided with: a first electrode having a first work function; a second electrode having a second work function greater than the first work function; and a semiconductor layer having a third work function of values between the first work function and the second work function, and bonded to the first electrode and the second electrode. Preferably, the semiconductor layer is set at a thickness that becomes fully depleted in a state in which bias voltage is not applied between the first electrode and the second electrode. Thereby, a rectifying element is provided that achieves high-speed switching characteristics and sufficient rectification.
(FR) L'invention concerne un élément redresseur qui comporte : une première électrode ayant une première fonction de travail; une deuxième électrode ayant une deuxième fonction de travail supérieure à la première fonction de travail; et une couche semi-conductrice ayant une troisième fonction de travail dont la valeur est comprise entre la première fonction de travail et la deuxième fonction de travail, et soudée à la première électrode et à la deuxième électrode. De préférence, la couche semi-conductrice est placée à une épaisseur qui devient complètement appauvrie dans un état dans lequel une tension de polarisation n'est pas appliquée entre la première électrode et la deuxième électrode. On dispose ainsi d'un élément redresseur qui permet d'obtenir des caractéristiques de commutation à grande vitesse et un redressement suffisant.
(JA)  第1の仕事関数を有する第1電極と、前記第1の仕事関数よりも大きい第2の仕事関数を有する第2電極と、前記第1の仕事関数と前記第2の仕事関数との間の値の第3の仕事関数を有し、前記第1電極と前記第2電極とに接合する半導体層と、を備える整流素子。好ましくは、前記半導体層は、前記第1電極と前記第2電極との間にバイアス電圧を印可しない状態で完全に空乏となる厚さに設定されている。これによって、高速なスイッチング特性と十分な整流性とを実現する整流素子が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)