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1. (WO2014206296) SUBSTRATE ETCHING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/206296    International Application No.:    PCT/CN2014/080722
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 25.06.2014
IPC:
C23F 1/12 (2006.01)
Applicants: BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area, Beijing 100176 (CN)
Inventors: LI, Chengqiang; (CN)
Agent: TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201310271160.5 27.06.2013 CN
Title (EN) SUBSTRATE ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE SUBSTRAT
(ZH) 基片刻蚀方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a substrate etching method comprising the following steps: a main etching step, involving introducing etching gas and auxiliary gas into a reaction chamber, and activating an excitation power source and a bias voltage power source, in order to etch the substrate to a preset etching depth, wherein the auxiliary gas includes fluoride gas; an over-etching step, involving introducing the etching gas into the reaction chamber and activating an excitation power source and a bias voltage power source, in order to adjust the trench morphology of the substrate. The present invention provides a substrate etching method which not only increases the flexibility of the process, but also improves the flatness of the substrate at the bottom portion of trenches.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure de substrat comprenant les étapes suivantes : une étape principale de gravure consistant à introduire un gaz de gravure et un gaz auxiliaire dans une chambre de réaction et à activer une source d'alimentation de courant d'excitation et une source d'alimentation de tension de polarisation afin de graver le substrat jusqu'à une profondeur prédéfinie, le gaz auxiliaire étant un gaz de fluorure ; une étape de sur-gravure consistant à introduire le gaz de gravure dans la chambre de réaction et à activer une source d'alimentation de courant d'excitation et une source d'alimentation de tension de polarisation afin d'ajuster la morphologie de la tranchée du substrat. La présente invention concerne un procédé de gravure de substrat qui non seulement accroît la flexibilité du processus, mais améliore également la planéité du substrat au niveau de la partie inférieure des tranchées.
(ZH)本发明提供的基片刻蚀方法,其包括以下步骤:主刻蚀步骤,向反应腔室通入刻蚀气体和辅助气体,并开启激励电源和偏压电源,以对基片刻蚀预定刻蚀深度,其中,所述辅助气体包括氟化物气体;过刻蚀步骤,向反应腔室内通入所述刻蚀气体,并开启激励电源和偏压电源,以调节基片的沟槽形貌。本发明提供的基片刻蚀方法,其不仅可以提高工艺的灵活性,而且还可以提高基片沟槽底部的平整性。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)