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1. (WO2014206214) METHOD FOR MANUFACTURING IBC SOLAR CELL AND IBC SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/206214    International Application No.:    PCT/CN2014/080040
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 17.06.2014
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
Applicants: YINGLI GROUP COMPANY LIMITED [CN/CN]; No.3399 North Chaoyang Street Baoding, Hebei 071051 (CN).
YINGLI ENERGY (CHINA) COMPANY LIMITED [CN/CN]; No.3399 North Chaoyang Street Baoding, Hebei 071051 (CN).
BAODING JIASHENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.722 Cuiyuan Street Baoding, Hebei 071051 (CN).
HEBEI LIUYUN AMPEREX TECHNOLOGY LIMITED [CN/CN]; No.3399 North Chaoyang Street Baoding, Hebei 071051 (CN)
Inventors: LI, Feng; (CN).
YANG, Weiguang; (CN).
WANG, Jianming; (CN).
ZHANG, Lei; (CN).
LI, Gaofei; (CN).
HU, Zhiyan; (CN).
XIONG, Jingfeng; (CN)
Agent: UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Priority Data:
201310260260.8 26.06.2013 CN
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING IBC SOLAR CELL AND IBC SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE IBC ET CELLULE SOLAIRE IBC
(ZH) IBC太阳能电池的制作方法及IBC太阳能电池
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing an IBC solar cell and an IBC solar cell. In the method, first conductive finger regions are formed by using a laser ablation process or a laser etching process, second conductive finger regions are formed by using a screen printing process, and multiple steps of screen printing of a barrier layer, etching, secondary screen printing of the barrier layer, diffusion, glass layer removing, cleaning and the like are not needed, so that the method for manufacturing an IBC solar cell is simplified, the production efficiency is improved, and the production cost is reduced. In addition, the second conductive finger regions of the provided IBC solar cell are combined with a silicon wafer substrate to form an emitter of the cell, and boron does not need to be doped into the emitter, so that the boron-oxygen recombination action at the second conductive finger regions is relatively weak, the light-induced degradation action is smaller, and therefore, the conversion efficiency of the cell is higher.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de cellule solaire IBC ainsi qu'une cellule solaire IBC. Dans le procédé de la présente invention, de premières régions de doigt conducteur sont formées en utilisant un procédé d'ablation au laser ou un procédé de gravure au laser, de secondes régions de doigt conducteur sont formées en utilisant un procédé de sérigraphie, et les multiples étapes de sérigraphie d'une couche barrière, de gravure, de sérigraphie secondaire de la couche barrière, de diffusion, de suppression de couche de verre et de nettoyage ne sont pas nécessaires, de telle manière que le procédé de fabrication de cellule solaire IBC est simplifié, l'efficacité de production est améliorée, et le coût de production est réduit. Les secondes régions de doigt conducteur disposées sur la cellule solaire IBC sont en outre associées à un substrat en tranche de silicium afin de former un émetteur de la cellule sans qu'il soit nécessaire de doper l'émetteur au bore, de telle manière que l'action de recombinaison du bore avec l'oxygène au niveau des secondes régions de doigt conducteur est relativement faible, l'action de dégradation induite par la lumière est plus réduite et, par conséquent, l'efficacité de conversion de la cellule est plus élevée.
(ZH)一种IBC太阳能电池的制作方法及IBC太阳能电池,所述方法采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺形成第一导电指区,采用丝网印刷工艺形成第二导电指区,无需丝网印刷阻挡层、刻蚀、再次丝网印刷阻挡层、扩散、去玻璃层、清洗等多个步骤,简化了IBC太阳能电池的制作方法,提高了生产效率,且降低了生产成本。另外所提供的IBC太阳能电池的第二导电指区与硅片基体结合形成电池的发射极,不需要掺杂硼,因此第二导电指区处的硼氧复合作用较弱,光致衰减作用更小,从而电池的转换效率更高。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)