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1. (WO2014206211) BACK-PASSIVATED SOLAR BATTERY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/206211    International Application No.:    PCT/CN2014/079937
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 16.06.2014
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: YINGLI GROUP COMPANY LIMITED [CN/CN]; No.3399 North Chaoyang Street Baoding, Hebei 071051 (CN).
YINGLI ENERGY (CHINA) COMPANY LIMITED [CN/CN]; No.3399 North Chaoyang Street Baoding, Hebei 071051 (CN).
BAODING JIASHENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.722 Cuiyuan Street Baoding, Hebei 071051 (CN).
HEBEI LIUYUN AMPEREX TECHNOLOGY LIMITED [CN/CN]; No.3399 North Chaoyang Street Baoding, Hebei 071051 (CN)
Inventors: XU, Zhuo; (CN).
WANG, Jianming; (CN).
WU, Cuigu; (CN).
SHI, Jinchao; (CN).
LI, Gaofei; (CN).
HU, Zhiyan; (CN).
XIONG, Jingfeng; (CN)
Agent: UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Priority Data:
201310261117.0 26.06.2013 CN
Title (EN) BACK-PASSIVATED SOLAR BATTERY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) BATTERIE SOLAIRE À DOS PASSIVÉ ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(ZH) 背钝化太阳能电池及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)A back-passivated solar battery and a manufacturing method therefor. The manufacturing method comprises: after an antireflective film is prepared on a silicon chip, first, forming a back surface field provided with a hollow pattern; then, forming a back-passivated layer; and then, forming a positive electrode. By way of forming the back surface field prior to the back-passivated layer, the step of laser grooving is omitted and the damage of the laser grooving to the silicon chip is avoided. The back surface field is a hollow structure which reduces the contact area with the back-passivated layer and reduces the erosion degree of the back surface field on the back-passivated layer, so as to enable the back-passivated layer to better play a passivating role, thereby reducing the carrier recombination of the back surface of the battery, all of which can ultimately improve the conversion efficiency of the back-passivated solar battery.
(FR)Batterie solaire à dos passivé et procédé pour sa fabrication. Le procédé de fabrication comporte les étapes consistant: après qu'un film antireflet a été préparé sur une pastille en silicium, à former d'abord un champ de surface de dos doté d'un motif en creux; puis à former une couche de passivation de dos; et à former ensuite une électrode positive. En formant le champ de surface de dos avant la couche de passivation de dos, l'étape de rainurage au laser est éliminée et les dégâts occasionnés par le rainurage au laser à la pastille en silicium sont évités. Le champ de surface de dos est une structure creuse qui réduit la surface de contact avec la couche de passivation de dos et réduit le degré d'érosion du champ de surface de dos sur la couche de passivation de dos, de façon à permettre à la couche de passivation de dos de mieux jouer un rôle de passivation, réduisant ainsi la recombinaison de porteurs de la surface de dos de la batterie, tous ces facteurs pouvant finalement améliorer le rendement de conversion de la batterie solaire à dos passivé.
(ZH)一种背钝化太阳能电池及其制作方法,制作方法包括在硅片制备完减反射膜后,首先形成具有镂空图案的背面场,再形成背钝化层,之后形成正电极,通过使背面场先于背钝化层形成,减少了激光开槽的步骤,避免了激光开槽对硅片的损伤;背面场为镂空结构,与背钝化层的接触面积减少,减轻了背面场对背钝化层的侵蚀程度,使背钝化层能够很好地发挥钝化作用,减少了电池背面的载流子复合,这些最终均能提高背钝化太阳能电池的转换效率。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)