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1. (WO2014206175) METHOD FOR MANUFACTURING NON-PUNCH THROUGH REVERSE CONDUCTING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/206175 International Application No.: PCT/CN2014/078797
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 29.05.2014
IPC:
H01L 21/331 (2006.01)
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.[CN/CN]; No.8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028, CN
Inventors: HUANG, Xuan; CN
DENG, Xiaoshe; CN
WANG, Genyi; CN
WANG, Wanli; CN
Agent: ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623, CN
Priority Data:
201310261253.X24.06.2013CN
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NON-PUNCH THROUGH REVERSE CONDUCTING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE À GÂCHETTE ISOLÉE NON PERFORÉ PAR CONDUCTION INVERSE
(ZH) 非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法
Abstract: front page image
(EN) A method for manufacturing a non-punch through reverse conducting insulated gate bipolar transistor, comprising the following steps: providing an N-type substrate (100); forming a P+ transmitting region (102) on the N-type substrate (100) by adopting the manner of digging a groove and filling same; epitaxially preparing an N-type drift region (300) on one surface of the N-type substrate (100) which is provided with the P+ transmitting region (102); preparing a front surface structure of an insulated gate bipolar transistor on the N-type drift region (300); thinning the N-type substrate (100) to expose the P+ transmitting region (102) from the back surface thereof; and forming a metal electrode on the back surface of the N-type substrate (100). The above-mentioned method adopts the combination of the manner of digging a groove and filling same with an epitaxial manner to prepare a non-punch through reverse conducting insulated gate bipolar transistor, so as to be compatible with the conventional silicon wafer technology, and therefore, there is no need for higher requirements of the slice circulation technology, and there is also no need for a dedicated double-sided exposure machine.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire à gâchette isolé non perforé par conduction inverse, comprenant les étapes suivantes : production d'un substrat de type N (100) ; formation d'une région de transmission P+ (102) sur le substrat de type N (100) en adoptant la méthode de creusement d'une rainure et de remplissage de celle-ci ; préparation épitaxiale d'une région de dérive de type N (300) sur une surface du substrat de type N (100) qui est munie de la région de transmission P+ (102) ; préparation d'une structure de surface frontale d'un transistor bipolaire à gâchette isolée sur la région de dérive de type N (300) ; amincissement du substrat de type N (100) pour exposer la région de transmission P+ (102) depuis la surface arrière de celui-ci ; et formation d'une électrode métallique sur la surface arrière du substrat de type N (100). Le procédé mentionné ci-dessus combine une méthode de creusement d'une rainure et de remplissage de celle-ci avec une méthode épitaxiale pour préparer un transistor bipolaire à gâchette isolée non perforé par conduction inverse afin d'être compatible avec la technologie conventionnelle des galettes en silicium, et par conséquent il n'est pas nécessaire d'imposer les exigences plus sévères de la technologie de circulation de tranche et il n'est pas non plus nécessaire de disposer d'une machine d'exposition double face dédiée.
(ZH) 一种非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制造方法,包括如下步骤:提供N型衬底(100);在所述N型衬底(100)上采用挖槽填充的方式形成P+发射区(102);在所述N型衬底(100)上具有P+发射区(102)的一面外延制备N型漂移区(300);在所述N型漂移区(300)上制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构;将所述N型衬底(100)减薄至背面露出所述P+发射区(102);在所述N型衬底(100)背面形成金属电极。上述方法采用挖槽填充与外延方式结合制备非穿通型反向导通绝缘栅双极型晶体管,与常规的硅片工艺兼容,不需要较高的薄片流通工艺要求,也不需要专用的双面曝光机。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)