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1. (WO2014206164) METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT FOR REFRIGERATION OR HEATING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/206164    International Application No.:    PCT/CN2014/078441
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 26.05.2014
IPC:
H01L 35/34 (2006.01)
Applicants: CHEN, Zhiming [CN/CN]; (CN).
GU, Wei [CN/CN]; (CN).
SUZHOU WEIYUAN NEW MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 399, LiaoBang Road, Tongli Town, Wujiang District Suzhou, Jiangsu 215200 (CN)
Inventors: CHEN, Zhiming; (CN).
GU, Wei; (CN)
Agent: LEADER PATENT & TRADEMARK FIRM; 8F-6,Bldg. A, Winland International Center No.32 Xizhimen North Street, Haidian District Beijing 100082 (CN)
Priority Data:
201310257878.9 25.06.2013 CN
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT FOR REFRIGERATION OR HEATING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR DE TYPE N POUR DISPOSITIF DE RÉFRIGÉRATION OU DE CHAUFFAGE
(ZH) 用于制冷或制热器件的N型半导体元件制作方法
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing an N-type semiconductor element for a refrigeration or heating device. The N-type semiconductor element is made of tellurium material, bismuth material and selenium material. The method comprises: firstly, smashing and grinding the tellurium material, the bismuth material and the selenium material to enable the size thereof to be 2000 meshes or more than 2000 meshes; and then, according to the proportion of each material in parts by weight, conducting proportioning on the materials to obtain a mixture, wherein the proportion thereof is 40 to 44 parts of tellurium, 53 to 57 parts of bismuth and 28 to 32 parts of selenium. When the N-type semiconductor element is in operation, the temperature difference between both ends thereof is larger, and through a test, when the N-type semiconductor element is in operation, the temperature difference between the cold end and the hot end thereof reaches about 73°C to 78°C. Therefore, the N-type semiconductor element has the advantages of high operation efficiency and lower energy consumption. The N-type semiconductor element is particularly suitable for being used to manufacture a refrigeration or heating device of a semiconductor.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément semiconducteur de type N pour un dispositif de réfrigération ou de chauffage. L'élément semiconducteur de type N est constitué des matériaux tellure, bismuth et sélénium. Le procédé comprend : premièrement, démolition et broyage des matériaux tellure, bismuth et sélénium pour les amener à une taille égale ou supérieure à 2000 mailles ; et ensuite, en fonction de la proportion de chaque matériau en parts massiques, réalisation d'un dosage sur les matériaux afin d'obtenir un mélange dont la proportion est de 40 à 44 parts de tellure, 53 à 57 parts de bismuth et 28 à 32 parts de sélénium. Lorsque l'élément semiconducteur de type N est en fonctionnement, la différence de température entre ses deux extrémités est plus grande et, par le biais d'un test, lorsque l'élément semiconducteur de type N est en fonctionnement, la différence de température entre l'extrémité froide et l'extrémité chaude de celui-ci atteint environ 73°C à 78°C. Par conséquent, l'élément semiconducteur de type N présente les avantages d'un rendement de fonctionnement élevé et d'une faible consommation d'énergie. L'élément semiconducteur de type N convient particulièrement pour une utilisation dans la fabrication d'un dispositif de réfrigération ou de chauffage d'un semiconducteur.
(ZH)一种用于制冷或制热器件的N型半导体元件制作方法,该N型半导体元件由碲、铋、硒材料制成,先将碲、铋、硒材料粉碎并磨成2000目或2000目以上,然后将各材料按重量份计的配比进行配料得混合料,其配比为:碲40〜44份、铋53〜57份、硒28〜32份。该N型半导体元件在工作时两端的温差较大,经测试该N型半导体元件在工作时其冷端与热端的温差达73〜78度左右。所以该N型半导体元件具有工作效率高、能耗较低的优点。该N型半导体元件特别适合于用于制作半导体的制冷或制热器件。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)