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1. (WO2014205378) FABRICATION OF STABLE ELECTRODE/DIFFUSION BARRIER LAYERS FOR THERMOELECTRIC FILLED SKUTTERUDITE DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/205378 International Application No.: PCT/US2014/043461
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 20.06.2014
IPC:
H01L 35/12 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM[US/US]; 316 E. Cullen Building Houston, Texas 77204-2015, US
MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY[US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, Massachusetts 02142-1324, US
Inventors: JIE, Qing; US
REN, Zhifeng; US
CHEN, Gang; US
Agent: MAAG, Gregory L.; US
Priority Data:
61/837,54520.06.2013US
Title (EN) FABRICATION OF STABLE ELECTRODE/DIFFUSION BARRIER LAYERS FOR THERMOELECTRIC FILLED SKUTTERUDITE DEVICES
(FR) FABRICATION DE COUCHES D'ÉLECTRODE/BARRIÈRE DE DIFFUSION STABLES POUR DES DISPOSITIFS DE SKUTTÉRUDITE REMPLIS THERMOÉLECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN) Disclosed are methods for the manufacture of n-type and p-type filled skutterudite thermoelectric legs of an electrical contact. A first material of CoSi2 and a dopant are ball-milled to form a first powder which is thermo-mechanically processed with a second powder of n-type skutterudite to form a n-type skutterudite layer disposed between a first layer and a third layer of the doped-CoSi2. In addition, a plurality of components such as iron, and nickel, and at least one of cobalt or chromium are ball-milled form a first powder that is thermo-mechanically processed with a p-type skutterudite layer to form a p-type skutterudite layer "second layer" disposed between a first and a third layer of the first powder. The specific contact resistance between the first layer and the skutterudite layer for both the n-type and the p-type skutterudites subsequent to hot-pressing is less than about 10.0 µΩ•cm2.
(FR) L'invention concerne des procédés de fabrication de jambes thermoélectriques de skuttérudite remplies de type n et de type p d'un contact électrique. Un premier matériau de CoSi2 et un dopant passent au broyeur à boulets pour former une première poudre qui est thermomécaniquement traitée avec une seconde pourdre de skuttérudite de type n pour former une couche de skuttérudite de type n disposée entre une première couche et une troisième couche du CoSi dopé2. De plus, une pluralité de composants, tels que le fer et le nickel, et au moins l'un du cobalt et du chrome passent au broyeur à boulets pour former une première poudre qui est thermomécaniquement traitée avec une couche de skuttérudite de type p pour former une couche de skuttérudite de type p, "deuxième couche" disposée entre une première et une troisième couche de la première poudre. La résistance de contact spécifique entre la première couche et la couche de skuttérudite pour les skuttérudites à la fois de type n et de type p après pressage à chaud est de moins d'environ 10,0 µΩ•cm2.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)