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1. (WO2014204906) INSULATING LAYER FOR PLANARIZATION AND DEFINITION OF THE ACTIVE REGION OF A NANOWIRE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/204906 International Application No.: PCT/US2014/042649
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 17.06.2014
IPC:
H01L 33/62 (2010.01)
Applicants: GLO AB[SE/SE]; Scheelevägen 22 223 63 Lund, SE
Inventors: HERNER, Scott Brad; SE
Agent: RADOMSKY, Leon; US
Priority Data:
61/836,28018.06.2013US
Title (EN) INSULATING LAYER FOR PLANARIZATION AND DEFINITION OF THE ACTIVE REGION OF A NANOWIRE DEVICE
(FR) COUCHE ISOLANTE POUR PLANARISATION ET DÉFINITION DE LA RÉGION ACTIVE D'UN DISPOSITIF DE NANOFIL
Abstract: front page image
(EN) Various embodiments include methods of fabricating a semiconductor device that include forming a plurality of nanowires on a support, wherein each nanowire comprises a first conductivity type semiconductor core and a second conductivity type semiconductor shell over the core, forming an insulating material layer over at least a portion of the plurality of nanowires such that at least a portion of the insulating material layer provides a substantially planar top surface, removing a portion of the insulating material layer to define an active region of nanowires, and forming an electrical contact over the substantially planar top surface of the insulating material layer.
(FR) Divers modes de réalisation se rapportent à des procédés de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs qui consistent à former une pluralité de nanofils sur un support, chaque nanofil comprenant un noyau à semi-conducteurs d'un premier type de conductivité et une enveloppe à semi-conducteurs d'un second type de conductivité par-dessus le noyau, à former une couche de matériau isolant par-dessus au moins une partie de la pluralité de nanofils de sorte qu'au moins une partie de la couche de matériau isolant donne une surface supérieure sensiblement plane, à retirer une partie de la couche de matériau isolant pour délimiter une région active de nanofils et à former un contact électrique par-dessus la surface supérieure sensiblement plane de la couche de matériau isolant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)