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1. (WO2014204781) SCALABLE ORTHOGONAL SPIN TRANSFER MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/204781    International Application No.:    PCT/US2014/042135
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 12.06.2014
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: NEW YORK UNIVERSITY [US/US]; One Park Avenue 6th Floor New York, NY 10016 (US)
Inventors: KENT, Andrew; (US)
Agent: MARTIN, Matthew, E.; (US)
Priority Data:
13/919,466 17.06.2013 US
Title (EN) SCALABLE ORTHOGONAL SPIN TRANSFER MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES
(FR) DISPOSITIFS MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUES À TRANSFERT DE SPIN ORTHOGONAL ADAPTABLES
Abstract: front page image
(EN)A magnetic device includes a pinned polarizing magnetic layer having a magnetic vector parallel to a plane of the pinned polarizing magnetic layer. The magnetic device also includes a free layer, separated from the polarizing magnetic layer by a first non-magnetic layer, having a magnetization vector with a changeable magnetization direction. The changeable magnetization vector is configured to change to a first state upon application of a first current of a first polarity and to change to a second state upon application of a second current of a second, opposite polarity. The magnetic device also has a reference layer having a magnetic vector perpendicular to the plane of the reference layer and separated from the free layer by a second non-magnetic layer.
(FR)L'invention porte sur un dispositif magnétique, qui comprend une couche magnétique de polarisation d'ancrage ayant un vecteur magnétique parallèle à un plan de la couche magnétique de polarisation d'ancrage. Le dispositif magnétique comprend également une couche libre, séparée de la couche magnétique de polarisation par une première couche non magnétique, ayant un vecteur de magnétisation dont la direction de magnétisation peut être changée. Le vecteur de magnétisation pouvant être changé est conçu de façon à passer à un premier état lors de l'application d'un premier courant d'une première polarité, et à passer à un second état lors de l'application d'un second courant d'une seconde polarité opposée. Le dispositif magnétique comporte également une couche de référence ayant un vecteur magnétique perpendiculaire au plan de la couche de référence, et séparée de la couche libre par une seconde couche non magnétique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)