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1. (WO2014204620) METHOD FOR COPPER PLATING THROUGH SILICON VIAS USING WET WAFER BACK CONTACT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/204620 International Application No.: PCT/US2014/039611
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 27.05.2014
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventors: GOUK, Roman; US
VERHAVERBEKE, Steven; US
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, Texas 77046, US
Priority Data:
61/835,97217.06.2013US
Title (EN) METHOD FOR COPPER PLATING THROUGH SILICON VIAS USING WET WAFER BACK CONTACT
(FR) PROCÉDÉ DE CUIVRAGE PAR L'INTERMÉDIAIRE DE VIAS EN SILICIUM EN UTILISANT UNE SURFACE DE CONTACT ARRIÈRE D'UNE PLAQUETTE HUMIDE
Abstract: front page image
(EN) A method and apparatus for processing a substrate are provided. In some implementations, the method comprises providing a silicon substrate having an aperture containing an exposed silicon contact surface at a bottom of the aperture, depositing a metal seed layer on the exposed silicon contact surface and exposing the substrate to an electroplating process by flowing a current through a backside of the substrate to form a metal layer on the metal seed layer.
(FR) L'invention concerne un procédé et un appareil de traitement d'un substrat. Dans certaines réalisations, le procédé consiste à fournir un substrat en silicium ayant une ouverture contenant une surface de contact en silicium exposée située à une partie inférieure de l'ouverture, déposer une couche germinale métallique sur la surface de contact en silicium exposée et exposer le substrat à un processus de galvanoplastie en faisant passer un courant par l'intermédiaire d'une face arrière du substrat pour former une couche métallique sur la couche germinale métallique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)