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1. (WO2014204492) MTJ SPIN HALL MRAM BIT-CELL AND ARRAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/204492 International Application No.: PCT/US2013/047153
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 21.06.2013
IPC:
G11C 11/15 (2006.01) ,H01L 27/115 (2006.01) ,H01L 21/8247 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors: MANIPATRUNI, Sasikanth; US
NIKONOV, Dmitri E.; US
YOUNG, Ian A.; US
Agent: MUGHAL, Usman A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085-4040, US
Priority Data:
Title (EN) MTJ SPIN HALL MRAM BIT-CELL AND ARRAY
(FR) CELLULE BINAIRE ET MATRICE DE MÉMOIRE VIVE MAGNETIQUE (MRAM) A ÉFFET HALL DE SPIN FORMANT JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE (MTJ)
Abstract: front page image
(EN) Described is an apparatus 1T-1 Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Spin Hall Magnetic Random Access Memory (MRAM) bit-cell and array, and method of forming such. The apparatus comprises: a select line; an interconnect with Spin Hall Effect (SHE) material, the interconnect coupled to a write bit line; a transistor coupled to the select line and the interconnect, the transistor controllable by a word line; and a MTJ device having a free magnetic layer coupled to the interconnect.
(FR) L'invention concerne un appareil pour une cellule binaire et une matrice de mémoire vive magnétique (MRAM) à effet Hall de spin formant jonction tunnel magnétique (MTJ) 1T-1, et son procédé de formation. L'appareil comprend : une ligne de sélection ; une interconnexion avec un matériau à effet Hall de spin (SHE), l'interconnexion étant couplée à une ligne de bits d'écriture ; un transistor couplé à la ligne de sélection et à l'interconnexion, le transistor pouvant être commandé par une ligne de mots ; et un dispositif MTJ ayant une couche magnétique libre couplée à l'interconnexion.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)