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1. (WO2014203887) METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/203887    International Application No.:    PCT/JP2014/066006
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 17.06.2014
IPC:
H01L 21/368 (2006.01), B05D 7/24 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C07H 15/203 (2006.01), H01L 51/46 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventors: OOTANI Naoki; (JP)
Agent: KOJIMA Takashi; (JP)
Priority Data:
2013-129443 20.06.2013 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE DE TYPE "N"
(JA) n型有機半導体薄膜の製造方法
Abstract: front page image
(EN)In the present invention, by applying a solution containing the fullerene represented by formula (1) to a substrate and firing at 450°C or higher, an n-type organic semiconductor thin film that has favorable ionization potential and has microscopic irregularities and pores in the film surface can be obtained. (In the formula, R1-R5 each independently represent a hydrogen atom, a saccharide group, or a substituted saccharide group that is a saccharide group in which any given hydroxyl group of the saccharide group has been substituted with a substituent group, and R6 represents an alkyl group with a carbon number in the range 1-5. However, at least one of R1-R5 is the saccharide group or substituted saccharide group.)
(FR)Dans la présente invention, l'application d'une solution contenant le fullerène représentée par la formule (1) à un substrat et la cuisson à 450 °C ou plus permettent d'obtenir un film mince semi-conducteur organique de type "n" qui possède un bon potentiel d'ionisation et présente des irrégularités et pores microscopiques à la surface du film. (Dans la formule, R1-R5 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe saccharide ou un groupe saccharide substitué qui est un groupe saccharide dans lequel n'importe quel groupe hydroxyle du groupe saccharide a été substitué par un groupe substituant, et R6représente un groupe alkyle avec un nombre de carbones dans la plage 1-5. Cependant, au moins l'un des R1-R5 est le groupe saccharide ou groupe saccharide substitué).
(JA) 式(1)で表されるフラーレン誘導体を含む溶液を基材に塗布し、450℃以上で焼成してn型有機半導体薄膜を製造することで、好適なイオン化ポテンシャルを有するとともに、成膜面に微小な凹凸や細孔を有するn型有機半導体薄膜が得られる。 (式中、R1~R5は、それぞれ独立して、水素原子、糖基、または糖基の任意の水酸基が置換基によって置換された糖基である置換糖基を表し、R6は、炭素数1~5のアルキル基を表す。ただし、R1~R5のうちの少なくとも1つは、前記糖基または置換糖基である。)
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)