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1. (WO2014203856) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/203856    International Application No.:    PCT/JP2014/065893
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 16.06.2014
Chapter 2 Demand Filed:    14.04.2015    
IPC:
H01S 5/343 (2006.01)
Applicants: MEIJO UNIVERSITY [JP/JP]; 1-501, Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4688502 (JP)
Inventors: TAKEUCHI, Tetsuya; (JP).
IWAYA, Motoaki; (JP).
AKASAKI, Isamu; (JP)
Agent: GRANDOM PATENT LAW FIRM; Watatsune Daigo Bldg., 8-24, Marunouchi 1-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600002 (JP)
Priority Data:
2013-127556 18.06.2013 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to improve the efficiency of positive hole injection into an active layer of a nitride semiconductor light-emitting element. The nitride semiconductor light-emitting element comprises layered nitride semiconductor crystals containing Al and having a polar surface or a semipolar surface as a growth surface. The nitride semiconductor light-emitting element is provided with an active layer (103), a first and a second compositionally graded layers (102,104), the active layer (103) being disposed between the first and the second compositionally graded layers (102,104), both the first and the second compositionally graded layers (102,104) being compositionally graded such that the Al composition value decreases toward the side where the sum of spontaneous polarization and piezoelectric polarization becomes negative.
(FR)L'objet de la présente invention consiste à améliorer l'efficacité d'une injection de trou positif dans une couche active d'un élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure. L'élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure comprend des cristaux semi-conducteurs au nitrure déposés en couche contenant Al et possédant une surface polaire ou une surface semi-polaire formant surface de croissance. L'élément électroluminescent semi-conducteur au nitrure est doté d'une couche active (103), de première et seconde couches à composition graduelle (102, 104), la couche active (103) étant disposée entre les premières et seconde couches à composition graduelle (102, 104), les première et seconde couches à composition graduelle (102, 104) étant toutes les deux à composition graduelle de sorte que la valeur de la composition d'Al diminue vers le côté où la somme de la polarisation spontanée et de la polarisation piézo-électrique devient négative.
(JA) 窒化物半導体発光素子の活性層への正孔注入効率を改善する。 窒化物半導体発光素子は、Alを含み、極性面乃至半極性面を成長面とする窒化物半導体結晶を積層してなる。窒化物半導体発光素子は、活性層(103)と、第1、第2組成傾斜層(102),(104)とを備えており、第1、第2組成傾斜層(102),(104)の間に活性層(103)が配置されており、第1、第2組成傾斜層(102),(104)のいずれも自発分極とピエゾ分極の和が負になる側に向かってAl組成値が減少するように組成傾斜している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)