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1. (WO2014203645) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/203645    International Application No.:    PCT/JP2014/062425
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 09.05.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: KUBOTA, Ryosuke; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2013-128506 19.06.2013 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention is provided with: a step (S10) for preparing a silicon carbide substrate, which has a first surface (main surface) (10a), and which includes a first impurity region (drift region) (12) having a first conductivity type; a step (S20) for forming an adjustment film (2) covering at least a part of the first surface (main surface) (10a), and a mask film (1) having an opening pattern from which at least a part of the adjustment film (2) is exposed; a step (S30) for forming, in the first impurity region (drift region) (12), a second impurity region (p body region) (13) having a second conductivity type by implanting an impurity from the first surface (main surface) (10a) via the adjustment film (2) using the mask film (1) as a mask; a step (S40) for removing at least a part of the adjustment film (2); and a step (S50) for forming, in the second impurity region (p body region) (13), a third impurity region (n+ source region) (14) having a first conductivity type by implanting an impurity from the first surface (main surface) (10a) using the mask film (1) as a mask. Consequently, a silicon carbide semiconductor device having a channel length controlled in a submicron order, and a method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device are provided.
(FR)L'objet de la présente invention comprend : une étape (S10) de préparation d'un substrat en carbure de silicium qui possède une première surface (surface principale) (10a) et qui contient une première région d'impureté (région de dérive) (12) qui possède un premier type de conductivité; une étape (S20) de formation d'un film de réglage (2) qui recouvre au moins une partie de la première surface (surface principale) (10a) et d'un film de masque (1) muni d'un motif d'ouverture par lequel est exposée au moins une partie du film de réglage (2); une étape (S30) de formation, dans la première région d'impureté (région de dérive) (12), d'une deuxième région d'impureté (région de corps P) (13) qui possède un deuxième type de conductivité en implantant une impureté depuis la première surface (surface principale) (10a) par le biais du film de réglage (2) en utilisant le film de masque (1) comme masque; une étape (S40) d'enlèvement d'au moins une partie du film de réglage (2); et une étape (S50) de formation, dans la deuxième région d'impureté (région de corps P) (13), d'une troisième région d'impureté (région de source N+) (14) qui possède un premier type de conductivité en implantant une impureté depuis la première surface (surface principale) (10a) en utilisant le film de masque (1) comme masque. L'invention réalise par conséquent un dispositif semiconducteur en carbure de silicium dont la longueur de canal est commandée à une échelle submicronique, ainsi qu'un procédé de fabrication du dispositif semiconducteur en carbure de silicium.
(JA) 第1の面(主面)(10a)を有し、第1の導電型を有する第1の不純物領域(ドリフト領域)(12)を含む炭化珪素基板を準備する工程(S10)と、第1の面(主面)(10a)の少なくとも一部を覆う調整膜(2)と、調整膜(2)が少なくとも部分的に表出する開口パターンを有するマスク膜(1)とを形成する工程(S20)と、マスク膜(1)をマスクとして用いて、調整膜(2)を介して第1の面(主面)(10a)に不純物を注入することにより、第1の不純物領域(ドリフト領域)(12)に第2の導電型を有する第2の不純物領域(pボディ領域)(13)を形成する工程(S30)と、調整膜(2)の少なくとも一部を除去する工程(S40)と、マスク膜(1)をマスクとして用いて、第1の面(主面)(10a)に不純物を注入することにより、第2の不純物領域(pボディ領域)(13)に第1の導電型を有する第3の不純物領域(n+ソース領域)(14)を形成する工程(S50)とを備える。これにより、サブミクロンのオーダーで制御されたチャネル長を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)