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1. (WO2014203579) In-Ce-O SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/203579    International Application No.:    PCT/JP2014/058259
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 25.03.2014
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD [JP/JP]; 11-3, Simbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716 (JP)
Inventors: SATO, Keiichi; (JP)
Agent: UEDA, Shozo; Room 901, 25-Sankyo Bldg., 1-48-10, Higashi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Priority Data:
2013-126313 17.06.2013 JP
Title (EN) In-Ce-O SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION In-Ce-O ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) In-Ce-O系スパッタリングターゲットとその製造方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide: an In-Ce-O sputtering target having a suppressed occurrence of abnormal discharges and nodules over the long term despite containing Ce at an atom ratio Ce/(In+Ce) of 0.16-0.40 and that obtains a high-refraction film; and a method for producing the In-Ce-O sputtering target. [Solution] The In-Ce-O sputtering target is configured from an In-Ce-O oxide sintered body having indium oxide as the primary component and containing cerium, and is used when producing a transparent electrically conductive film having an index of refraction of at least 2.1. The target is characterized by the Ce content being 0.16-0.40 in terms of the atom ratio Ce/(In+Ce) and cerium oxide particles having a particle size of no greater than 5 μm being dispersed in the In-Ce-O oxide sintered body.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation In-Ce-O dont on supprimé l'apparition de nodules et de décharges anormales sur le long terme malgré le fait qu'elle contient Ce à un rapport atomique Ce/ (In + Ce) de 0,16-0,40 et qui donne un film à indice de réfraction élevé; et un procédé de production de ladite cible de pulvérisation cathodique In-Ce-O. La cible de pulvérisation In-Ce-O est conçue à partir d'un corps fritté d'oxyde In-Ce-O ayant de l'oxyde d'indium comme constituant principal et contenant du cérium, et est utilisée pour la production d'un film électriquement conducteur transparent ayant un indice de réfraction d'au moins 2,1. La cible est caractérisée par une teneur en Ce de 0,16-0,40 en termes du rapport atomique Ce/ (In + Ce) et en ce que les particules d'oxyde de cérium ont une taille de particules inférieure ou égale à 5 μm dispersées dans le corps fritté d'oxyde In-Ce-O.
(JA)【課題】高屈折率膜が得られるCe/(In+Ce)原子比で0.16~0.40のCeが含まれているにも拘わらず長時間に亘りノジュールや異常放電の発生が抑制されるIn-Ce-O系スパッタリングターゲットとその製造方法を提供すること。 【解決手段】このスパッタリングターゲットは、酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含有するIn-Ce-O系酸化物焼結体により構成され、屈折率が2.1以上である透明導電膜を製造する際に使用されるIn-Ce-O系スパッタリングターゲットであって、Ceの含有量がCe/(In+Ce)原子比で0.16~0.40であり、かつ、粒径5μm以下の酸化セリウム粒子が上記In-Ce-O系酸化物焼結体中に分散していることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)