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1. (WO2014203487) SEMICONDUCTOR DEVICE, CONTROL IC FOR SWITCHING POWER SUPPLY, AND SWITCHING POWER SUPPLY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/203487 International Application No.: PCT/JP2014/003021
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 06.06.2014
IPC:
H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/8232 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/095 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO.,LTD.[JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventors: SAITOU, Masaru; JP
Agent: SUZUKI, Sohbe; NICHIEI Patent and Trademark Attorneys, Shiroyama Trust Tower 32F, 3-1, Toranomon 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1056032, JP
Priority Data:
2013-12965620.06.2013JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, CONTROL IC FOR SWITCHING POWER SUPPLY, AND SWITCHING POWER SUPPLY DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, CI DE COMMANDE POUR ALIMENTATION ÉLECTRIQUE DE COMMUTATION, ET DISPOSITIF D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE DE COMMUTATION
(JA) 半導体装置、スイッチング電源用制御ICおよびスイッチング電源装置
Abstract: front page image
(EN) This semiconductor device is configured such that a resistor (91a) for suppressing overvoltage is inserted between an input terminal and a drain of JFETs (81, 82), and the resistor (91a) is disposed on the JEFTs (81, 82). Furthermore, the resistor (91a) is continuously and integrally formed with a spiral high-withstand voltage high-resistive element (121a) that constitutes a resistive voltage dividing circuit.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur configuré pour qu'un résistor (91a) destiné à supprimer une surtension soit inséré entre une borne d'entrée et un drain de JFET (81, 82), et que le résistor (91a) soit disposé sur les JFET (81, 82). En outre, le résistor (91a) est formé en continu et d'un seul bloc avec un élément en spirale hautement résistif et à haute tension de tenue (121a) qui constitue un circuit diviseur de tension résistif.
(JA)  半導体装置は、入力端子とJFET(81,82)のドレインとの間に、過電圧を抑制する抵抗(91a)が挿設され、この抵抗(91a)がJFET(81,82)上に配置される構成とする。また、抵抗(91a)は抵抗分圧回路を構成する渦巻き状の高耐圧高抵抗素子(121a)と連続して一体に形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)