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1. (WO2014202886) METHOD FOR TRANSFERRING A LAYER OF CIRCUITS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/202886    International Application No.:    PCT/FR2014/051478
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 16.06.2014
IPC:
H01L 21/56 (2006.01), H01L 21/78 (2006.01), H01L 25/00 (2006.01)
Applicants: SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques F-38190 Bernin (FR)
Inventors: BROEKAART, Marcel; (FR).
MARINIER, Laurent; (FR)
Agent: BREESE, Pierre; (FR)
Priority Data:
1355765 19.06.2013 FR
Title (EN) METHOD FOR TRANSFERRING A LAYER OF CIRCUITS
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE DE CIRCUITS
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for transferring a buried layer of circuits (2). Said method is characterised in that it includes the following steps which involve: taking a donor substrate (1, 1') including on the inside an area (7, 7') for halting the etching and covered on one of the surfaces (12) thereof, referred to as "front", with a layer of circuits (2); providing either a peripheral groove (3) that extends away from the side edge (13) of said donor substrate (1, 1') or a peripheral clipping (3') on the entire circumference of said substrate, on the side of the surface thereof covered with the layer of circuits (2), said clipping (3') or said groove (3) being provided deep enough to pass entirely through the layer of circuits (2) and extending into the donor substrate (1, 1'); depositing, on the exposed surface (21) of said layer of circuits (2) and on the clipped surface (13') or on the walls of said groove (3), a layer of a material (4) for selectively halting the etching of said layer of circuits (2), referred to as the "second halting layer", without blocking said groove (3); adhering a receiving substrate (5) to said donor substrate (1, 1') on the side covered by said second halting layer (4); reducing the thickness of the donor substrate (1) by chemical etching of the rear surface thereof (11), until reaching said area (7, 7') for halting the etching, such as to obtain the transfer of said buried layer of circuits (2) to said receiving substrate (5).
(FR)L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche de circuits (2) enterrée. Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à : - prendre un substrat donneur (1,1') comprenant intérieurement une zone (7,7') d'arrêt de la gravure et recouvert sur l'une de ses faces (12), dite "avant", d'une couche de circuits (2), - réaliser sur toute la circonférence dudit substrat donneur (1,1'), du côté de sa face recouverte de la couche de circuits (2), soit une tranchée périphérique (3) qui s'étend à distance du bord latéral (13) de ce substrat, soit un détourage périphérique (3'), ce détourage (3') ou cette tranchée (3) étant réalisés sur une profondeur telle qu'ils traversent entièrement la couche de circuits (2) et se prolongent dans le substrat donneur (1,1'), - déposer sur la face exposée (21 ) de ladite couche de circuits (2) et sur la face détourée (13') ou sur les parois de ladite tranchée (3), une couche d'un matériau d'arrêt (4) sélectif vis-à-vis de la gravure de ladite couche de circuits (2), dite "deuxième couche d'arrêt", sans obturer ladite tranchée (3), - coller un substrat receveur (5) sur ledit substrat donneur (1,1') du côté recouvert par ladite deuxième couche d'arrêt (4), - amincir le substrat donneur (1) par gravure chimique de sa face arrière (11), jusqu'à atteindre ladite zone (7,7') d'arrêt de la gravure, de façon à obtenir le transfert de ladite couche de circuits (2) enterrée sur ledit substrat receveur (5).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)