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1. (WO2014202410) SEMICONDUCTOR POWER SWITCH AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR POWER SWITCH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/202410    International Application No.:    PCT/EP2014/061806
Publication Date: 24.12.2014 International Filing Date: 06.06.2014
IPC:
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/3115 (2006.01), H01L 29/30 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventors: DAVES, Walter; (DE)
Priority Data:
10 2013 211 360.9 18.06.2013 DE
Title (DE) HALBLEITER-LEISTUNGSSCHALTER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-LEISTUNGSSCHALTERS
(EN) SEMICONDUCTOR POWER SWITCH AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR POWER SWITCH
(FR) INTERRUPTEUR DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN INTERRUPTEUR DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Leistungsschalter (100) mit einem Trägersubstrat (110) und einer auf dem Trägersubstrat (110) aufgebrachten ersten Halbleiterschicht (130) aus einem ersten Halbleitermaterial. Weiterhin umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) eine auf der ersten Halbleiterschicht (130) aufgebrachte zweite Halbleiterschicht (135) aus einem zweiten Halbleitermaterial, wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet. Auch umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) einen Drainanschluss (145) und einen Sourceanschluss (150), die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht (135) eingebettet sind, wobei mittels des Drainanschlusses (145) und des Sourceanschlusses (150) zumindest eine Grenzschicht (140) zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist. Ferner umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) einen Kanalbereich (155) zwischen dem Drainanschluss (145) und dem Sourceanschluss (150), wobei der Kanalbereich (155) ausgebildet ist, um als elektrischer Leistungsschalter zu wirken. Schließlich umfasst der Halbleiter- Leistungsschalter (100) einen Gateanschluss (170), der zumindest teilweise den Kanalbereich (155) überdeckt.
(EN)The invention relates to a semiconductor power switch (100) comprising a carrier substrate (110) and a first semiconductor layer (130) consisting of a first semiconductor material which is applied to the carrier substrate (110). Furthermore, the semiconductor power switch (100) comprises a second semiconductor layer (135) consisting of a second semiconductor material which is applied to the first semiconductor layer (130), wherein the band gap of the first semiconductor material differs from the band gap of the second semiconductor material. The semiconductor power switch (100) also comprises a drain connection (145) and a source connection (150), which are embedded at least in the second semiconductor layer (135), wherein electrical contact can be made with at least one interface (140) between the first and second semiconductor materials by means of the drain connection (145) and the source connection (150). In addition, the semiconductor power switch (100) comprises a channel region (155) between the drain connection (145) and the source connection (150), wherein the channel region (155) is formed in order to act as electrical power switch. Finally, the semiconductor power switch (100) comprises a gate connection (170), which at least partially covers the channel region (155).
(FR)L'invention concerne un interrupteur de puissance à semi-conducteur (100) pourvu d'un substrat support (110) et d'une première couche semi-conductrice (130) constituée d'un premier matériau semi-conducteur, placée sur le substrat support (110). L'interrupteur de puissance à semi-conducteur (100) comporte également une seconde couche semi-conductrice (135) constituée d'un second matériau semi-conducteur, placée sur la première couche semi-conductrice (130), la largeur de bande interdite du premier matériau semi-conducteur étant différente de celle du second matériau semi-conducteur. L'interrupteur de puissance à semi-conducteur (100) présente en outre un drain (145) et une source (150) qui sont incorporés au moins dans la seconde couche semi-conductrice (135), au moins une couche interfaciale (140) située entre le premier et le second matériau semi-conducteur pouvant être mise en contact électrique au moyen du drain (145) et de la source (150). L'interrupteur de puissance à semi-conducteur (100) comprend également une zone de canal (155) entre le drain (145) et la source (150), la zone de canal (155) étant conçue pour faire fonction d'interrupteur de puissance électrique. Enfin, l'interrupteur de puissance à semi-conducteur (100) comprend une grille (170) qui recouvre au moins partiellement la zone de canal (155).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)