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1. (WO2014200936) MEMORY DEVICES AND MEMORY OPERATIONAL METHODS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/200936 International Application No.: PCT/US2014/041591
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 09.06.2014
IPC:
G11C 13/00 (2006.01) ,G11C 7/10 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US
Inventors: OTSUKA, Wataru; US
KUNIHIRO, Takafumi; US
TSUSHIMA, Tomohito; US
KITAGAWA, Makoto; US
SUMINO, Jun; US
Agent: SHAURETTE, James D.; US
Priority Data:
13/914,41510.06.2013US
Title (EN) MEMORY DEVICES AND MEMORY OPERATIONAL METHODS
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉS DE FONCTIONNEMENT DE MÉMOIRE
Abstract: front page image
(EN) Memory devices and memory operational methods are described. One example memory system includes a common conductor and a plurality of memory cells coupled with the common conductor. The memory system additionally includes access circuitry configured to provide different ones of the memory cells into one of a plurality of different memory states at a plurality of different moments in time between first and second moments in time. The access circuitry is further configured to maintain the common conductor at a voltage potential, which corresponds to the one memory state, between the first and second moments in time to provide the memory cells into the one memory state.
(FR) L'invention concerne des dispositifs de mémoire et des procédés de fonctionnement de mémoire. Un système de mémoire à titre d'exemple comprend un conducteur commun et une pluralité de cellules de mémoire couplées au conducteur commun. Le système de mémoire comprend en outre une circuiterie d'accès configurée pour fournir différentes cellules de mémoire parmi les cellules de mémoire dans l'un d'une pluralité de différents états de mémoire à une pluralité d'instants différents dans le temps entre des premier et second instants dans le temps. La circuiterie d'accès est en outre configurée pour maintenir le conducteur commun à un potentiel de tension, qui correspond audit état de mémoire, entre les premier et second instants dans le temps pour fournir les cellules de mémoire dans ledit état de mémoire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)