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1. (WO2014200821) WAFER-BASED LIGHT SOURCE PARAMETER CONTROL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/200821    International Application No.:    PCT/US2014/041176
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 05.06.2014
IPC:
G03B 27/02 (2006.01)
Applicants: CYMER, LLC [US/US]; 17075 Thornmint Court San Diego, CA 92127-2413 (US)
Inventors: LALOVIC, Ivan; (US).
ZURITA, Omar; (US).
RECHTSTEINER, Greogry, Allen; (US).
ALAGNA, Paolo; (US).
HSIEH, Simon; (US).
LEE, Jason, J.; (US).
ROKITSKI, Rostislav; (US).
JIANG, Rui; (US)
Agent: NGUYEN, Joseph, A.; (US)
Priority Data:
61/833,892 11.06.2013 US
14/295,558 04.06.2014 US
Title (EN) WAFER-BASED LIGHT SOURCE PARAMETER CONTROL
(FR) RÉGLAGE DE PARAMÈTRES DE SOURCE DE LUMIÈRE À BASE DE TRANCHE
Abstract: front page image
(EN)A photolithography method includes instructing an optical source to produce a pulsed light beam; scanning the pulsed light beam across a wafer of a lithography exposure apparatus to expose the wafer with the pulsed light beam; during scanning of the pulsed light beam across the wafer, receiving a characteristic of the pulsed light beam at the wafer; receiving a determined value of a physical property of a wafer for a particular pulsed light beam characteristic: and based on the pulsed light beam characteristic that is received during scanning and the received determined value, of the physical property, modifying a performance parameter of the pulsed light beam during scanning, across the wafer.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de photolithographie qui consiste à donner comme instruction à une source optique de produire un faisceau de lumière pulsée ; à balayer le faisceau de lumière pulsée à travers une tranche d'un appareil d'exposition de lithographie pour exposer la tranche au faisceau de lumière pulsée ; à recevoir, pendant le balayage du faisceau de lumière pulsée à travers la tranche, une caractéristique du faisceau de lumière pulsée au niveau de la tranche ; à recevoir une valeur prédéterminée d'une propriété physique d'une tranche pour une caractéristique de faisceau de lumière pulsée particulière ; et à modifier, sur la base de la caractéristique de faisceau de lumière pulsée qui est reçue pendant le balayage et de la valeur déterminée reçue, de la propriété physique, un paramètre de performance du faisceau de lumière pulsée pendant le balayage à travers la tranche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)