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1. (WO2014200753) RECESSED FIELD PLATE TRANSISTOR STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/200753    International Application No.:    PCT/US2014/040567
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 02.06.2014
IPC:
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01)
Applicants: CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 (US)
Inventors: SRIRAM, Saptharishi; (US).
ALCORN, Terry; (US).
RADULESCU, Fabian; (US).
SHEPPARD, Scott; (US)
Agent: HEYBL, Jaye, G.; Koppel, Patrick, Heybl & Philpott 2815 Townsgate Road Suite 215 Westlake Village, CA 91361 (US)
Priority Data:
13/913,490 09.06.2013 US
13/929,487 27.06.2013 US
Title (EN) RECESSED FIELD PLATE TRANSISTOR STRUCTURES
(FR) STRUCTURES DE TRANSISTORS À PLAQUE DE CHAMP ENCASTRÉE
Abstract: front page image
(EN)A transistor device including a field plate is described. One embodiment of such a device includes a field plate separated from a semiconductor layer by a thin spacer layer. In one embodiment, the thickness of spacer layer separating the field plate from the semiconductor layers is less than the thickness of spacer layer separating the field plate from the gate. In another embodiment, the non- zero distance separating the field plate from the semiconductor layers is about 1500A or less. Devices according to the present invention can show capacitances which are less drain bias dependent, resulting in improved linearity.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de transistor comprenant une plaque de champ. Un mode de réalisation de ce dispositif comporte une plaque de champ séparée d'une couche semi-conductrice par une mince couche d'espacement. Dans un des modes de réalisation, l'épaisseur de couche d'espacement qui sépare la plaque de champ des couches semi-conductrices est inférieure à l'épaisseur de couche d'espacement qui sépare la plaque de champ de la grille. Dans un autre mode de réalisation, la distance non nulle qui sépare la plaque de champ des couches semi-conductrices est d'environ 1 500 A ou moins. Les dispositifs selon la présente invention peuvent présenter des capacités qui sont moins dépendantes de la polarité du drain, ce qui a pour effet d'améliorer la linéarité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)