WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014200385) X-RAY RADIATION DETECTION MATRIX PRODUCTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/200385    International Application No.:    PCT/RU2013/000737
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 22.08.2013
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: GALASHOV, Evgenij Nikolaevich [RU/RU]; (RU).
MANDRIK, Egor Mikhajlovich [RU/RU]; (RU)
Inventors: GALASHOV, Evgenij Nikolaevich; (RU).
MANDRIK, Egor Mikhajlovich; (RU)
Agent: SHEKHTMAN, Ekaterina L'vovna; a/ya 327 Novosibirsk, 630082 (RU)
Priority Data:
2013126707 11.06.2013 RU
Title (EN) X-RAY RADIATION DETECTION MATRIX PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MATRICE DE DÉTECTION DE RAYONS X
(RU) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТЕКТИРИРУЮЩЕЙ МАТРИЦЫ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to semiconductor technology and can be used in the production of detectors of various lengths of electromagnetic radiation. The essence of the proposed method consists in applying a layer of semiconductor material of a required thickness to a non-conductive ceramic, glass or polymer plate. Said plate is then cut into strips of a required width, the strips are connected, forming a layered plane in which strips of ceramic, glass or polymer alternate with strips of semiconductor material, the resulting plane is then cut into strips which are perpendicular to the initial strips of ceramic, glass or polymer and semiconductor material; strips of ceramic, glass or polymer are inserted into the places where the cuts were made and all of the strips are connected to one another. A common potential electrode is connected to one side of the resulting matrix surface, and on the other side, individual electrodes are installed on each of the semiconductor cells of the matrix. The proposed x-ray radiation detection matrix production method is high-tech and allows for obtaining detection matrices of a required size having detection cells of a specified dimension.
(FR)L'invention se rapporte aux techniques des semi-conducteurs et peut être utilisée dans la production de détecteurs de rayonnements électromagnétiques de différentes longueurs. L'invention concerne essentiellement un procédé consistant à appliquer une couche d'un matériau semi-conducteur d'une épaisseur voulue sur une plaque non conductrice en céramique, verre ou polymère. En découpe ensuite la plaque en bandes de largeur voulue, et on relie les bandes obtenues de manière à former un plan stratifié dans lequel alternent les bandes de céramique, de verre ou de polymère et les bandes de matériau semi-conducteur. Le plan ainsi obtenu est ensuite divisé en bandes dans une direction perpendiculaire à la disposition des bandes initiales de céramique, de verre ou de polymère et de matériau semi-conducteur, on dispose au niveau des découpes des bandes de céramique, de verre ou de polymère et on relie à nouveau toutes les bandes entre elles. On fixe ensuite une électrode de potentiel commun sur un côté de la surface matricielle ainsi obtenue tandis que, de l'autre côté, on réalise un montage d'électrodes individuelles vers chacune des cellules semi-conductrices de la matrice. Ce procédé de fabrication de matrice de détection de rayons X relève d'une haute technologie et permet de produire des matrices de détection de taille voulue avec des cellules de détection de taille voulue.
(RU)Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве детекторов электромагнитных излучений различной длины. Сущность предложенного способа заключается в том, что наносят слой полупроводникового материала требуемой толщины на керамическую, стеклянную или полимерную непроводящую пластину. Затем разрезают данную пластину на полосы требуемой ширины и соединяют полученные полосы с образованием слоистой плоскости, в которой чередуются полосы керамики, стекла или полимера и полосы полупроводникового материала, далее разрезают полученную плоскость на полосы в направлении, перпендикулярном расположению первоначальных полос керамики, стекла или полимера и полупроводникового материала, вставляют в места разрезов полосы керамики, стекла или полимера и снова соединяют все полосы между собой. К полученной матричной поверхности с одной стороны присоединяют общий потенциальный электрод, а с другой стороны производят монтаж индивидуальных электродов к каждой из полупроводниковых ячеек матрицы. Предлагаемый способ изготовления детектирующей матрицы рентгеновского излучения является высокотехнологичным и позволяет получать детектирующие матрицы необходимых размеров с заданными размерами детектирующих ячеек.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)