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1. (WO2014199970) ELECTRONIC CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/199970 International Application No.: PCT/JP2014/065304
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 10.06.2014
IPC:
H02M 1/08 (2006.01) ,H02M 1/00 (2007.01) ,H03K 17/08 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1
Details of apparatus for conversion
08
Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1
Details of apparatus for conversion
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
08
Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
51
characterised by the use of specified components
56
by the use, as active elements, of semiconductor devices
687
the devices being field-effect transistors
Applicants: ROHM CO., LTD.[JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
Inventors: HAYASHIGUCHI, Masashi; JP
INO, Kazuhide; JP
Agent: INAOKA, Kosaku; JP
Priority Data:
2013-12279411.06.2013JP
Title (EN) ELECTRONIC CIRCUIT
(FR) CIRCUIT ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子回路
Abstract:
(EN) Provided is an electronic circuit capable of preventing a switching device from breaking when a short-circuit is generated. When a gate control signal (CG1) level is inverted from an L level to an H level, a first switching circuit (32) selects a first input terminal (a), and connects an output terminal (d) to the first input terminal (a), thereby turning on an MOSFET (21). When a predetermined time (Ts) elapses after the output terminal (d) of the first switching circuit (32) is connected to the first input terminal (a), a second switching circuit (34) selects a first input terminal (e), and connects an output terminal (g) to the first input terminal (e). Furthermore, immediately after the connection, the first switching circuit (32) selects a second input terminal (b), and connects the output terminal (d) to the second input terminal (b). Consequently, immediately after the MOSFET (21) is turned on, a gate resistor is switched from a first gate resistor (33) having a small resistance value to a second gate resistor (35) having a large resistance value.
(FR) L’invention porte sur un circuit électronique capable d’empêcher un dispositif de commutation de se casser lorsqu’un court-circuit est généré. Lorsqu’un niveau de signal de commande de grille (CG1) est inversé depuis un niveau L vers un niveau H, un premier circuit de commutation (32) sélectionne une première borne d’entrée (a), et connecte une borne de sortie (d) à la première borne d’entrée (a), allumant ainsi un MOSFET (21). Lorsqu’un temps prédéterminé (Ts) est écoulé après que la borne de sortie (d) du premier circuit de commutation (32) est connectée à la première borne d’entrée (a), un second circuit de commutation (34) sélectionne une première borne d’entrée (e), et connecte une borne de sortie (g) à la première borne d’entrée (e). En outre, immédiatement après la connexion, le premier circuit de commutation (32) sélectionne une seconde borne d’entrée (b), et connecte la borne de sortie (d) à la seconde borne d’entrée (b). Par conséquent, immédiatement après que le MOSFET (21) est allumé, une résistance de grille est commutée depuis une première résistance de grille (33) ayant une petite valeur de résistance vers une seconde résistance de grille (35) ayant une grande valeur de résistance.
(JA)  短絡発生時にスイッチングデバイスが破損するのを防止できる電子回路を提供する。 ゲート制御信号CG1がLレベルからHレベルに反転すると、第1の切替回路32は、第1入力端子aを選択して、出力端子dを第1入力端子aに接続する。これにより、MOSFET21がターンオンする。第1の切替回路32の出力端子dが第1入力端子aに接続されてから、所定時間Tsが経過すると、第2の切替回路34は、第1入力端子eを選択して、出力端子gを第1入力端子eに接続する。また、この直後に、第1の切替回路32は、第2入力端子bを選択して、出力端子dを第2入力端子bに接続する。これにより、MOSFET21がターンオンした直後に、抵抗値の小さな第1のゲート抵抗33から、抵抗値の大きな第2のゲート抵抗35に、ゲート抵抗が切替られる。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)