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1. (WO2014199571) PRODUCTION METHOD FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/199571 International Application No.: PCT/JP2014/002695
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 22.05.2014
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 25/16 (2006.01)
Applicants: DENSO CORPORATION[JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY[JP/JP]; 6-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008126, JP
Inventors: MAKINO, Emi; JP
KOJIMA, Jun; JP
TOKUDA, Yuuichirou; JP
TSUCHIDA, Hidekazu; JP
KAMATA, Isaho; JP
HOSHINO, Norihiro; JP
Agent: KIN, Junhi; 6th Floor, Takisada Bldg., 2-13-19, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-city, Aichi 4600003, JP
Priority Data:
2013-12380012.06.2013JP
Title (EN) PRODUCTION METHOD FOR SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶の製造方法
Abstract: front page image
(EN) In this production method for a SiC single crystal, a pedestal (9) is disposed inside a heating container (8) configuring a reaction chamber in which a SiC single crystal (20) is grown, a seed crystal (5) is adhered to the pedestal (9), the SiC single crystal is grown on the seed crystal by subjecting a starting-material gas to thermal decomposition in the heating container, the growth rate of the SiC single crystal is compared with a threshold range centred on a target value, if the growth rate is within the threshold range, the rotation speed of the seed crystal is maintained, in cases when the growth rate is greater than an upper-limit value of the threshold range, the rotation speed is maintained or reduced, and in cases when the growth rate is less than a lower-limit value of the threshold range, the rotation speed is increased.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production d'un monocristal SiC. Un socle (9) est disposé à l'intérieur d'un contenant chauffant (8) formant une chambre de réaction dans laquelle un monocristal SiC (20) est amené à croître, un germe cristallin (5) est amené à adhérer au socle (9), le monocristal SiC est amené à croître sur le germe cristallin par soumission d'un gaz matière première à une décomposition thermique dans le contenant chauffant. Le taux de croissance du monocristal SiC est comparé à une plage de seuil centrée sur une valeur cible : si le taux de croissance se trouve dans la plage de seuil, la vitesse de rotation du germe cristallin est maintenue ; dans le cas où le taux de croissance est supérieur à une valeur limite supérieure de la plage de seuil, la vitesse de rotation est maintenue ou réduite ; et dans le cas où le taux de croissance est inférieur à une valeur limite inférieure de la plage de seuil, la vitesse de rotation est augmentée.
(JA)  SiC単結晶の製造方法は、SiC単結晶(20)を成長させる反応室を構成する加熱容器(8)内に台座(9)を配置し、該台座(9)に種結晶(5)を貼り付け、前記加熱容器にて原料ガスを加熱分解して該種結晶にSiC単結晶を成長させ、前記SiC単結晶の成長速度と、狙い値を中心とした閾範囲とを比較判定し、前記閾範囲内であれば、種結晶の回転速度を維持し、前記閾範囲の上限値よりも大きい場合には、前記回転速度を維持もしくは低下させ、前記閾範囲の下限値よりも小さい場合には、前記回転速度を上昇させることを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)