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1. (WO2014199421) PLASMA GENERATION APPARATUS, PLASMA PROCESSING APPARATUS, PLASMA GENERATION METHOD, AND PLASMA PROCESSING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/199421    International Application No.:    PCT/JP2013/003744
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 14.06.2013
IPC:
H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01)
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
Inventors: GOTO, Tetsuya; (JP).
HIRAYAMA, Masaki; (JP).
SUGAWA, Shigetoshi; (JP).
OHMI, Tadahiro; (JP)
Priority Data:
Title (EN) PLASMA GENERATION APPARATUS, PLASMA PROCESSING APPARATUS, PLASMA GENERATION METHOD, AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION DE PLASMA, ET APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ発生装置、プラズマ処理装置、プラズマ発生方法およびプラズマ処理方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a plasma generation apparatus whereby sputtering of material of members, such as an electrode, due to accelerated electrons can be substantially eliminated, said members being at the periphery of a plasma excitation region. This plasma generation apparatus has: a plasma-forming electrode (10), which has a main surface (10a) and a rear surface (10b); high-frequency supply sections (100, 70, 60) that supply, to the electrode (10), high-frequency power having a frequency of 200 MHz or higher; and a magnetic field-forming mechanism (50), which is provided on the rear surface side of the electrode (10), and which includes a first fixed magnet (56) having the N pole thereof disposed to face the rear surface, and a second fixed magnet (58) having the S pole thereof disposed to face the rear surface, and which forms a loop-like magnetic field region (LMR) for confining excited plasma close to the main surface (10a). The loop-like magnetic field region (LMR) that forms the magnetic field-forming mechanism (50) has a strong magnetic field of 3,000 gausses or more in the direction parallel to the main surface (10a).
(FR)L'invention concerne un appareil de génération de plasma permettant de pulvériser un matériau d'éléments, tels qu'une électrode, du fait que des électrons accélérés peuvent être sensiblement éliminés, les éléments se trouvant sur la périphérie d'une région d'excitation de plasma. L'appareil de génération de plasma comprend : une électrode de formation de plasma (10), dotée d'une surface principale (10a) et d'une surface arrière (10b) ; des parties d'alimentation haute fréquence (100, 70, 60) qui alimentent, l'électrode (10) en puissance haute fréquence dont la fréquence est supérieure ou égale 200 MHz ; et un mécanisme de formation de champ magnétique (50) qui est disposé sur le côté de surface arrière de l'électrode (10), et qui comprend un premier aimant fixe (56) dont le pole N est disposé pour faire face à la surface arrière, et un second aimant fixe (58) dont le pole S est disposé pour faire face à la surface arrière, et qui forme une région de champ magnétique de type boucle (LMR) pour confiner le plasma excité à proximité de la surface principale (10a). La région de champ magnétique de type boucle (LMR) qui forme le mécanisme de formation de champ magnétique (50) comprend un champ magnétique fort de 3 000 gausses ou plus dans le sens parallèle à la surface principale (10a).
(JA) プラズマ励起領域の周辺に存在する電極等の部材材料が加速された電子によりスパッタされることを実質的に無くすことができるプラズマ発生装置を提供する。主面(10a)および背面(10b)を有するプラズマ形成用の電極(10)と、周波数が200MHz以上の高周波電力を電極(10)に供給する高周波供給部(100,70,60)と、電極(10)の背面側に設けられ、N極が前記背面に対向配置された第1の固定磁石(56)とS極が背面に対向配置された第2の固定磁石(58)とを含み、励起されるプラズマを主面(10a)付近に閉じ込めるためのループ状の磁場領域LMRを形成する磁場形成機構(50)と、を有し、磁場形成機構(50)の形成するループ状の磁場領域LMRは、主面(10a)に平行な方向に3000ガウス以上の強磁場を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)