WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014198734) SEMICONDUCTOR SWITCHING STRING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/198734 International Application No.: PCT/EP2014/062049
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 10.06.2014
Chapter 2 Demand Filed: 27.03.2015
IPC:
H03K 17/0814 (2006.01) ,H02M 1/06 (2006.01) ,H02M 3/18 (2006.01)
Applicants: GENERAL ELECTRIC TECHNOLOGY GMBH[CH/CH]; Brown Boveri Strasse 7 CH-5400 Baden, CH
Inventors: DAVIDSON, Colin Charnock; GB
Agent: MITCHELL, Darren Andrew; Potter Clarkson LLP The Belgrave Centre Talbot Street Nottingham NG1 5GG, GB
Priority Data:
13172036.914.06.2013EP
Title (EN) SEMICONDUCTOR SWITCHING STRING
(FR) CHAÎNE DE COMMUTATION À SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN) In the field of HVDC power converters there is a need for an improved semiconductor switching string which obviates the difficulties associated with respective semiconductor switching elements exhibiting different performance characteristics and having inherent limitations in their performance. A semiconductor switching string (100), for use in a HVDC power converter, comprises a plurality of series-connected semiconductor switching assemblies (10; 70; 110). Each semiconductor switching assembly (10; 70; 110) has a main semiconductor switching element (12) that includes first and second connection terminals (14, 16) between which current flows from the first terminal (14) to the second terminal (16) when the main semiconductor switching element (12) is switched on. The main semiconductor switching element (12) also has an auxiliary semiconductor switching element (28; 72; 1 12) electrically connected between the first and second connection terminals (14, 16) thereof. Each semiconductor switching assembly (10; 70; 110) also includes a control unit (30) which is operatively connected with each auxiliary semiconductor switching element (28; 72; 112). The or each control unit (30) is configured to switch on a respective auxiliary semiconductor switching element (28; 72; 112) to selectively create an alternative current path (32; 114, 116) between the first and second connection terminals (14, 16) associated therewith whereby current is diverted to flow through the alternative current path (32; 114, 116) to reduce the voltage across the corresponding main semiconductor switching element (12). The or each control unit (30) is further configured to switch on the said respective auxiliary semiconductor switching element (28; 72; 112) when the voltage across the corresponding main semiconductor switching element (12) differs from a voltage reference derived from the voltage across all of the main semiconductor switching elements (12) in the semiconductor switching string (100).
(FR) L'invention se rapporte au domaine des convertisseurs de puissance HTCC où il existe un besoin pour une chaîne de commutation à semiconducteur améliorée qui évite les difficultés associées aux éléments de commutation en semiconducteur respectifs présentant des caractéristiques de performances différentes et ayant des limitations intrinsèques de leurs performances. L'invention concerne une chaîne de commutation à semiconducteur (100) destinée à être utilisée dans un convertisseur de puissance HTCC, comprenant une pluralité d'assemblages de commutation à semiconducteur (10 ; 70 ; 110) branchés en série. Chaque assemblage de commutation à semiconducteur (10 ; 70 ; 110) comprend un élément de commutation à semiconducteur principal (12) qui inclut une première et une deuxième borne de connexion (14, 16) entre lesquelles un courant circule de la première borne (14) vers la deuxième borne (16) lorsque l'élément de commutation à semiconducteur principal (12) est rendu passant. L'élément de commutation à semiconducteur principal (12) comprend également un élément de commutation à semiconducteur auxiliaire (28 ; 72 ; 112) relié électriquement entre les première et deuxième bornes de connexion (14, 16) de celui-ci. Chaque assemblage de commutation à semiconducteur (10 ; 70 ; 110) comprend également une unité de commande (30) qui est reliée de manière opérationnelle avec chaque élément de commutation à semiconducteur auxiliaire (28 ; 72 ; 112). La ou chaque unité de commande (30) est configurée pour rendre passant un élément de commutation à semiconducteur auxiliaire (28 ; 72 ; 112) respectif afin de créer de manière sélective un chemin de courant de remplacement (32 ; 114, 116) entre les première et deuxième bornes de connexion (14, 16) associées à celui-ci, le courant étant dérivé afin de circuler à travers le chemin de courant de remplacement (32 ; 114, 116) en vue de réduire la tension aux bornes de l'élément de commutation à semiconducteur principal (12) correspondant. La ou chaque unité de commande (30) est en outre configurée pour rendre passant ledit élément de commutation à semiconducteur auxiliaire (28 ; 72 ; 112) respectif lorsque la tension aux bornes de l'élément de commutation à semiconducteur principal (12) correspondant est différente d'une tension de référence dérivée de la tension aux bornes de la totalité des éléments de commutation à semiconducteur principaux (12) dans la chaîne de commutation à semiconducteur (100).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)