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1. (WO2014198665) PROCESS FOR DEFOAMING AQUEOUS COMPOSITIONS CONTAINING SURFACTANTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/198665    International Application No.:    PCT/EP2014/061836
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 06.06.2014
Chapter 2 Demand Filed:    15.01.2015    
IPC:
B01D 19/04 (2006.01), C08L 83/08 (2006.01)
Applicants: WACKER CHEMIE AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München (DE)
Inventors: BREHM, Christof; (DE).
HÖLZLWIMMER, Elisabeth; (DE)
Agent: DEFFNER-LEHNER, Maria; Wacker Chemie AG Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München (DE)
Priority Data:
10 2013 210 813.3 10.06.2013 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM ENTSCHÄUMEN VON WÄSSRIGEN, TENSIDE ENTHALTENDEN ZUSAMMENSETZUNGEN
(EN) PROCESS FOR DEFOAMING AQUEOUS COMPOSITIONS CONTAINING SURFACTANTS
(FR) PROCÉDÉ DE DÉMOUSSAGE DE COMPOSITIONS AQUEUSES CONTENANT DES AGENTS TENSIO-ACTIFS
Abstract: front page image
(DE)Beschrieben wird ein Verfahren zum Entschäumen und/oder zur Verhinderung des Schäumens von wässrigen, Tenside enthaltenden Zusammensetzungen durch Zugabe von Entschäumerformulierungen enthaltend: (A) Polydiorganosiloxane, die Einheiten der Formel enthalten, wobei (I); R gleich oder unterschiedlich sein kann, und ein einwertiger, ggf. substituierter Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 36 Kohlenstoffatomen bedeutet; (B) wachsartige ß-Ketocarbonyl-funktionelle Organosiliciumverbindungen, die mindestens einen Si-gebundenen Rest B der allgemeinen Formel R1CH2-C(=O)-CHR1-C(=O)-NH[-L2-NZ]y-L1-(Si) (II) enthalten, wobei: R1 einen einwertigen, gegebenenfalls substituierten Kohlenwasserstoffrest mit mindestens 12 C-Atomen; Z ein Rest der Formel R1CH 2-C(=O)-CHR1-C(=O)- ist oder einen Rest R2 bedeutet; R2 ein Wasserstoffatom oder einen einwertigen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 18 C-Atomen; L1 ein zweiwertiger Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 18 C-Atomen ist; L2 in zweiwertiger Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 18 C-Atomen ist; y O oder 1 ist; und (Si)- die Bindung zum Si-Atom bedeutet.
(EN)What is described is a process for defoaming and/or preventing foaming of aqueous compositions containing surfactants by adding defoamer formulations containing: (A) polydiorganosiloxanes containing units of the formula (I) where: R may be the same or different and is a monovalent, optionally substituted hydrocarbyl radical having 1 to 36 carbon atoms; (B) wax-like β-ketocarbonyl-functional organosilicon compounds containing at least one Si-bonded B radical of the general formula R1CH2-C(=O)-CHR1-C(=O)-NH[-L2-NZ]y-L1-(Si) (II) where: R1 is a monovalent, optionally substituted hydrocarbyl radical having at least 12 carbon atoms; Z is a radical of the formula R1CH 2-C(=O)-CHR1-C(=O)- or a R2 radical; R2 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbyl radical having 1 to 18 carbon atoms; L1 is a divalent hydrocarbyl radical having 1 to 18 carbon atoms; L2 is a divalent hydrocarbyl radical having 1 to 18 carbon atoms; y is 0 or 1; and (Si)- is the bond to the silicon atom.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de démousser et/ou d'empêcher le moussage de compositions aqueuses contenant des agents tensio-actifs en y ajoutant des formulations d'agents antimousse contenant : (A) des polydiorganosiloxanes contenant des motifs de formule, où (I) les R peuvent être identiques ou différents et représentent chacun un reste hydrocarbure monovalent de 1 à 36 atomes de carbone, facultativement substitué; (B) des composants cireux à base d'organosilicium à fonctionnalité β-cétocarbonyle contenant au moins un reste B à liaison Si de formule générale R1CH2‑C(=O)‑CHR1‑C(=O)‑NH[‑L2‑NZ]y‑L1‑(Si) (II), où R1 représente un reste hydrocarbure monovalent d'au moins 12 atomes de C facultativement substitué, Z représente un reste de formule R1CH2‑C(=O)‑CHR1‑C(=O)‑ ou un reste R2, R2 représente un atome d'hydrogène ou un reste hydrocarbure monovalent de 1 à 18 atomes de C, L1 représente un reste hydrocarbure divalent de 1 à 18 atomes de C, L2 représente un reste hydrocarbure divalent de 1 à 18 atomes de C, y vaut 0 ou 1, et (Si)- représente la liaison avec l'atome de Si.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)