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1. (WO2014198617) PROVISION OF INFORMATION ON AN AGEING STATUS OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/198617    International Application No.:    PCT/EP2014/061651
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 05.06.2014
IPC:
G01R 31/26 (2014.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München (DE)
Inventors: BOHLLÄNDER, Marco; (DE)
Priority Data:
10 2013 211 038.3 13.06.2013 DE
Title (DE) BEREITSTELLEN EINER INFORMATION ÜBER EINEN ALTERUNGSZUSTAND EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) PROVISION OF INFORMATION ON AN AGEING STATUS OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) FOURNITURE D'UNE INFORMATION CONCERNANT L'ÉTAT DE VIEILLISSEMENT D'UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)Für einen konkreten Leistungshalbleiter soll der Alterungszustand zuverlässiger bestimmt werden können. Dazu werden vor Inbetriebnahme des Halbleiterbauelements (IGBT 1) eine Temperatur-Spannungs-Kennlinie (S1) und ein Widerstandsreferenzwert (S2) des thermischen Widerstands des Halbleiterbauelements ermittelt. Nach der Inbetriebnahme wird dann zur Bestimmung eines aktuellen thermischen Widerstandswerts (S5) ein Temperaturhub des Halbleiterbauelements bei dessen Erwärmung bestimmt (S3,S4). Anschließend wird ein Unterschied zwischen dem aktuellen thermischen Widerstandswert und dem Widerstandsreferenzwert ermittelt (S6) und in Abhängigkeit davon eine Information über den Alterszustand abgegeben (S7).
(EN)The invention is intended to make it possible to determine the ageing status of a specific power semiconductor more reliably. For this purpose, a temperature-voltage characteristic curve of the semiconductor component (IGBT 1) is determined (S1) and a reference resistance value of the thermal resistance of the semiconductor component is determined (S2) before initial operation of the semiconductor component. After initial operation, a temperature increase of the semiconductor component upon heating is determined (S3, S4) in order to determine (S5) a current thermal resistance value. Subsequently a difference between the current thermal resistance value and the reference resistance value is determined (S6) and information regarding the ageing status is output (S7) on the basis thereof.
(FR)Le problème à résoudre est de déterminer de manière plus fiable l'état de vieillissement d'un semi-conducteur de puissance concret. Pour cela, avant la mise en service du composant à semi-conducteur (IGBT 1), on détermine une courbe de tension en fonction de la température (S1) et une valeur de référence (S2) de la résistance thermique du composant à semi-conducteur. Après la mise en service, on détermine (S3, S4) une élévation de température du composant à semi-conducteur lors de son échauffement afin de déterminer (S5) une valeur actuelle de la résistance thermique. Ensuite, on calcule (S6) la différence entre la valeur actuelle de la résistance thermique et la résistance de référence et, en fonction du résultat de ce calcul, on délivre (S7) une information concernant l'état de vieillissement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)