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1. (WO2014198550) METHOD FOR PRODUCING A NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/198550    International Application No.:    PCT/EP2014/061139
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 28.05.2014
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: BERGBAUER, Werner; (DE).
DRECHSEL, Philipp; (DE).
STAUSS, Peter; (DE).
RODE, Patrick; (DE)
Agent: ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175, EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
10 2013 106 044.7 11.06.2013 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NITRIDVERBINDUNGSHALBLEITER-BAUELEMENTS
(EN) METHOD FOR PRODUCING A NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelementsangegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) mit einer Siliziumoberfläche, - Aufwachsen einer Pufferschicht (2), die A1xInyGa1-x-yN mit 0≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist, auf die Siliziumoberfläche, - Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf die Pufferschicht (2), wobei - die Pufferschicht (2) eine derart variierende Materialzusammensetzung aufweist, dass eine laterale Gitterkonstante der Pufferschicht (2) in einem ersten Bereich (2a) schrittweise oder kontinuierlich zunimmt und in einem zweiten Bereich (2b), der dem ersten Bereich in Wachstumsrichtung nachfolgt, schrittweise oder kontinuierlich abnimmt, und - die Pufferschicht (2) an einer Grenzfläche zur Halbleiterschichtenfolge (3) eine kleinere laterale Gitterkonstante aufweist als eine an die Pufferschicht (2) angrenzende Halbleiterschicht (4) der Halbleiterschichtenfolge (3).
(EN)The invention relates to a method for producing a nitride compound semiconductor component, having the steps: - providing a growth substrate (1) having a silicon surface; - growing a buffer layer (2) having AlxInyGa1-x-yN with 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1 on the silicon surface; - growing a semiconductor layer sequence (3) on the buffer layer (2), wherein - the buffer layer (2) has a material composition varying in such a manner that a lateral lattice constant of the buffer layer (2) in a first region (2a) increases stepwise or continuously, and in a second region (2b), which follows the first region in the growth direction, decreases stepwise or continuously; and - the buffer layer (2) has a smaller lateral lattice constant at an interface with the semiconductor layer sequence (3) than a semiconductor layer (4) of the semiconductor layer sequence (3) adjoining the buffer layer (2).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur à base de nitrure, comprenant les étapes consistant à : ‑ préparer un substrat d'épitaxie (1) pourvu d'une surface en silicium, ‑ faire croître une couche tampon (2) contenant de l'AlxInyGa1-x-yN, avec 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 et x + y ≤ 1, sur la surface en silicium, ‑ faire croître une succession de couches semi-conductrices (3) sur la couche tampon (2), ‑ la composition matérielle de la couche tampon (2) variant de telle façon qu'une constante de réseau latérale de la couche tampon (2) augmente progressivement et continuellement dans une première zone (2a) et diminue progressivement et continuellement dans une deuxième zone (2b) consécutive à la première zone dans le sens de croissance, et ‑ au niveau d'une interface avec la succession de couches semi-conductrices (3), la constante de réseau latérale de la couche tampon (2) est plus petite que celle d'une couche semi-conductrice (4) adjacente à la couche tampon (2) dans la succession de couches semi-conductrices (3).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)