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1. (WO2014198516) METHOD OF DETERMINING CRITICAL-DIMENSION-RELATED PROPERTIES, INSPECTION APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/198516 International Application No.: PCT/EP2014/060625
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 23.05.2014
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: ASML NETHERLANDS B.V.[NL/NL]; P.O. Box 324 NL-5500 AH Veldhoven, NL
Inventors: CRAMER, Hugo; NL
DEN BOEF, Arie, Jeffrey; NL
MEGENS, Henricus; NL
VAN DER SCHAAR, Maurits; NL
HUANG, Te-Chih; TW
Agent: BROEKEN, Petrus; ASML Netherlands BV P.O. Box 324 NL-5500 AH Veldhoven, NL
Priority Data:
61/834,10512.06.2013US
Title (EN) METHOD OF DETERMINING CRITICAL-DIMENSION-RELATED PROPERTIES, INSPECTION APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION DE PROPRIÉTÉS LIÉES À DES DIMENSIONS CRITIQUES, APPAREIL D'INSPECTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS
Abstract: front page image
(EN) A method of determining a critical-dimension-related property such as critical dimension (CD) or exposure dose. Process a wafer using a lithography apparatus in a lithographic process to produce periodic targets with different respective critical dimension biases on the wafer. Illuminate each of the targets. Measure intensity of radiation scattered by the targets. Recognize and extract each grating from the image. Determine a differential signal. Then determine the CD-related property, such as CD or exposure dose, based on the differential signal, the CD biases and knowledge that the differential signal approximates to zero at a 1:1 line-to-space ratio of such periodic targets. Use the determined critical-dimension-related property to control the lithography apparatus in the lithographic processing of subsequent wafers. In order to use just two CD biases, a calibration step may use measurements on a "golden wafer" (i.e. a reference wafer) to determine the intensity gradient for each of the CD pairs, with known CDs. Alternatively, the calibration can be based upon simulation of the sensitivity of intensity gradient to CD.
(FR) L'invention concerne un procédé de détermination d'une propriété liée à une dimension critique, comme une dimension critique (DC) ou une dose d'exposition, le procédé comportant les étapes consistant à: traiter une tranche à l'aide d'un appareil de lithographie dans un processus lithographique pour produire des cibles périodiques présentant des biais respectifs différents de dimension critique sur la tranche; éclairer chacune des cibles; mesurer l'intensité d'un rayonnement dispersé par les cibles; reconnaître et extraire chaque réseau de l'image; déterminer un signal différentiel; déterminer ensuite la propriété liée à la DC, comme la DC ou la dose d'exposition, en se basant sur le signal différentiel, les biais de DC et la connaissance du fait que le signal différentiel est approximativement nul pour un rapport ligne-espacement de 1:1 desdites cibles périodiques; utiliser la propriété déterminée liée à la dimension critique pour commander l'appareil de lithographie lors du traitement lithographique de tranches suivantes. Afin de n'utiliser que deux biais de DC, une étape d'étalonnage peut utiliser des mesures sur une "tranche en or " (c.-à-d. une tranche de référence) pour déterminer le gradient d'intensité pour chacune des paires de DC, avec des DC connues. En variante, l'étalonnage peut être basé sur une simulation de la sensibilité du gradient d'intensité à la DC.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)