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1. (WO2014198370) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NANO COLUMNS OF GROUP III-NITRIDE MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/198370    International Application No.:    PCT/EP2014/001280
Publication Date: 18.12.2014 International Filing Date: 12.05.2014
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE/DE]; Rudower Chaussee 17 12489 Berlin (DE)
Inventors: BRANDT, Oliver; (DE).
GEELHAAR, Lutz; (DE).
WÖLZ, Martin; (DE)
Agent: REICHERT, Christian; v. Bezold & Partner Patentanwälte - PartG mbB Akademiestrasse 7 80799 München (DE)
Priority Data:
10 2013 009 824.6 11.06.2013 DE
Title (DE) HALBLEITERVORRICHTUNG MIT NANOSÄULEN AUS GRUPPE III-NITRIDMATERIAL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE SOLCHE HALBLEITERVORRICHTUNG
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NANO COLUMNS OF GROUP III-NITRIDE MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT DES NANOCOLONNES EN NITRURES DE MÉTAUX DU GROUPE III ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung (10), umfassend eine Mehrzahl nanoskaliger Halbleitersäulen (1) bestehend aus Gruppe III-Nitridmaterial und ein Substrat (2), mit einer durchgehenden, lochfreien Oberflächenschicht, die Titannitrid (TiN) und/oder Titanmonoxid (TiO) enthält, auf der die Mehrzahl der Halbleitersäulen (1) angeordnet ist.
(EN)The invention relates to a semiconductor device (10) comprising a plurality of nanoscale semiconductor columns (1) consisting of group III-nitride material and a substrate (2) that has a continuous, hole-free surface layer which contains titanium nitride (TiN) and/or titanium monoxide (TiO) and on which the plurality of semiconductor columns (1) is arranged.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (10), comprenant une pluralité de nanocolonnes semi-conductrices (1), constituées de nitrures de métaux du groupe III, et un substrat (2) possédant une couche de surface continue, dépourvue de trous, qui contient du nitrure de titane (TiN) et/ou du monoxyde de titane (TiO) et sur laquelle est disposée la pluralité de nanocolonnes semi-conductrices (1).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)