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1. (WO2014197780) LOW-NOISE MICROWAVE-FREQUENCY GENERATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/197780    International Application No.:    PCT/US2014/041266
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 06.06.2014
IPC:
G01V 3/00 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 8th Floor Oakland, CA 94607-5200 (US)
Inventors: JOHANSSON, Leif, Albin; (US).
BOWERS, John, E.; (US).
HECK, Martijn; (US).
GUERRA, Danielle; (US).
THEOGARAJAN, Luke; (US).
SPENCER, Daryl; (US).
SRINIVASAN, Sudharsanan; (US).
TANG, Yongbo; (CN)
Agent: WALKER, James, A.; (US)
Priority Data:
61/831,897 06.06.2013 US
Title (EN) LOW-NOISE MICROWAVE-FREQUENCY GENERATOR
(FR) GÉNÉRATEUR D'HYPERFRÉQUENCE À FAIBLE BRUIT
Abstract: front page image
(EN)A microwave-frequency generator comprising silicon-photonic devices and a resonant cavity integrated on a single substrate is disclosed. Integration of silicon-photonic devices and waveguides on a single monolithic substrate enables lower phase noise in the microwave-frequency output signal. Further, the integration of low-loss waveguides that define the resonant cavity, low-noise operation can be achieved without introducing significant optical loss, thereby enabling high Q. In some embodiments, RF electronics devices are also integrated on the same substrate.
(FR)La présente invention concerne un générateur d'hyperfréquence qui comprend des dispositifs photoniques à silicium et une cavité résonante intégrée sur un seul substrat. L'intégration de dispositifs photoniques à silicium et de guides d'ondes sur un seul substrat monolithique permet un bruit de phase plus basse dans le signal de sortie d'hyperfréquence. En outre, grâce à l'intégration de guides d'onde à faible perte qui définissent la cavité résonante, un fonctionnement à faible bruit peut être obtenu sans introduire de perte optique importante, permettant ainsi un Q élevé. Dans certains modes de réalisation, des dispositifs électroniques RF sont également intégrés sur le même substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)