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1. (WO2014197391) REDUCTION OF DEPOSITION BY SEPARATION ION BEAM AND NEUTRAL FLOW
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/197391    International Application No.:    PCT/US2014/040551
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 02.06.2014
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventors: SINCLAIR, Frank; (US).
CITVER, Greg; (US).
MILLER, Timothy, J.; (US)
Agent: DAISAK, Daniel, N.; Kacvinsky Daisak Bluni PLLC 3120 Princeton Pike Suite 303 Lawrenceville, New Jersey 08648 (US)
Priority Data:
13/908,426 03.06.2013 US
Title (EN) REDUCTION OF DEPOSITION BY SEPARATION ION BEAM AND NEUTRAL FLOW
(FR) RÉDUCTION D'UN DÉPÔT PAR SÉPARATION D'UN FAISCEAU IONIQUE ET D'UN FLUX NEUTRE
Abstract: front page image
(EN)Ion implantation systems that separate the flow of ions from the flow of neutral particles are disclosed. The separation of neutral particles from ions can be achieved by manipulating the flow of ions in the system through variations in electrical or magnetic fields disposed within the implantation system. The path of neutral particles is less affected by electrical and magnetic fields than ions. The separation of these flows may also be accomplished by diverting the neutral particles from the ion beam, such as via an introduced gas flow or a flow blockage. Both separation techniques can be combined in some embodiments.
(FR)La présente invention concerne des systèmes d'implantation ionique permettant de séparer le flux d'ions du flux de particules neutres. La séparation entre les particules neutres et les ions peut être réalisée par la manipulation du flux d'ions dans le système en faisant varier les champs électriques ou magnétiques disposés au sein du système d'implantation. Le trajet des particules neutres est moins affecté par les champs électriques et magnétiques que le trajet des ions. La séparation de ces flux peut également être réalisée en déviant les particules neutres par rapport au faisceau ionique, par exemple par l'introduction d'un courant gazeux ou par l'intermédiaire d'un blocage de flux. Les deux techniques de séparation peuvent être combinées dans certains modes de réalisation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)