WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
PATENTSCOPE will be unavailable a few hours for maintenance reason on Saturday 18.08.2018 at 9:00 AM CEST
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014197145) SOLID STATE INTRODUCTION OF DOPANTS FOR PLASMA DOPING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/197145 International Application No.: PCT/US2014/036583
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 02.05.2014
IPC:
H01L 21/22 (2006.01) ,H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 21/8232 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.[US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (US)
Inventors: VENTZEK, Peter L.G.; US
KOBAYASHI, Yuuki; US
Agent: MADRIAGA, Manuel B.; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US
Priority Data:
14/075,45308.11.2013US
61/828,25729.05.2013US
Title (EN) SOLID STATE INTRODUCTION OF DOPANTS FOR PLASMA DOPING
(FR) INTRODUCTION À L'ÉTAT SOLIDE DE DOPANTS POUR UN DOPAGE PAR PLASMA
Abstract: front page image
(EN) A method of doping a non-planar surface or a surface of a substrate subject to poor view factors is provided. The processing chamber comprises a window, walls, and a bottom of the processing chamber with oxygen-containing material, the processing chamber configured to supply oxygen radicals as an additive to doping materials. One or more quartz pieces are placed inside the processing chamber, where a magnet proximate to the processing chamber is configured to create a local magnetron plasma inside the processing chamber. Process gas containing an inert gas, sublimated doping materials, and optionally oxygen gas is flowed into the processing chamber.
(FR) La présente invention concerne un procédé de dopage d'une surface non plane ou d'une surface d'un substrat soumis à de faibles facteurs de forme. La chambre de traitement comprend une fenêtre, des parois et un fond de la chambre de traitement avec un matériau contenant de l'oxygène, la chambre de traitement étant configurée pour fournir des radicaux d'oxygène en tant qu'additif aux matériaux dopants. Un ou plusieurs morceaux de quartz sont placés à l'intérieur de la chambre de traitement, où un aimant proche de la chambre de traitement est configuré pour créer un plasma magnétron local à l'intérieur de la chambre de traitement. Un gaz de traitement contenant un gaz inerte, des matériaux dopants sublimés et éventuellement un gaz d'oxygène est envoyé dans la chambre de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)