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1. (WO2014197048) SUPERCONDUCTING THREE-TERMINAL DEVICE AND LOGIC GATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/197048    International Application No.:    PCT/US2014/023664
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 11.03.2014
IPC:
H03K 19/195 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US)
Inventors: MCCAUGHAN, Adam, N.; (US).
BERGGREN, Karl, K.; (US)
Agent: GOODBERLET, James, G.; (US)
Priority Data:
61/776,068 11.03.2013 US
61/842,907 03.07.2013 US
Title (EN) SUPERCONDUCTING THREE-TERMINAL DEVICE AND LOGIC GATES
(FR) DISPOSITIF SUPRACONDUCTEUR À TROIS BORNES ET PORTES LOGIQUES
Abstract: front page image
(EN)A three-terminal device that exhibits transistor-like functionality at cryogenic temperatures may be formed from a single layer of superconducting material. A main current-carrying channel of the device may be toggled between superconducting and normal conduction states by applying a control signal to a control terminal of the device. Critical- current suppression and device geometry are used to propagate a normal-conduction hotspot from a gate constriction across and along a portion of the main current-carrying channel. The three-terminal device may be used in various superconducting signal-processing circuitry.
(FR)Un dispositif à trois bornes qui présente une fonctionnalité de type transistor à des températures cryogéniques peut être constitué d'une seule couche d'un matériau supraconducteur. Un canal de transport de courant principal du dispositif peut être basculé entre un état de supraconduction et un état de conduction normale en appliquant un signal de commande à une borne de commande du dispositif. Une suppression de courant critique et une géométrie du dispositif sont utilisées pour propager une zone active à conduction normale depuis un rétrécissement de porte, à travers et le long d'une partie du canal de transport de courant principal. Le dispositif à trois bornes peut être utilisé dans divers circuits supraconducteurs de traitement de signaux.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)