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1. (WO2014196583) METAL NITRIDE MATERIAL FOR THERMISTORS, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND FILM-TYPE THERMISTOR SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/196583 International Application No.: PCT/JP2014/064894
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 28.05.2014
IPC:
H01C 7/04 (2006.01) ,C01G 31/00 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,C30B 29/38 (2006.01) ,G01K 7/22 (2006.01) ,H01C 17/12 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION[JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP
Inventors: FUJITA, Toshiaki; JP
TANAKA, Hiroshi; JP
NAGATOMO, Noriaki; JP
Agent: TAKAOKA, Ryoichi; Takaoka IP Law Office, Ikebukuro Tosei Building, 5th Floor, 5-4-7, Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1710021, JP
Priority Data:
2013-11916705.06.2013JP
2013-15469425.07.2013JP
2013-15469625.07.2013JP
Title (EN) METAL NITRIDE MATERIAL FOR THERMISTORS, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND FILM-TYPE THERMISTOR SENSOR
(FR) MATÉRIAU À BASE DE NITRURE MÉTALLIQUE POUR THERMISTORS, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET CAPTEUR À THERMISTOR DE TYPE FILM
(JA) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
Abstract: front page image
(EN) Provided are: a metal nitride material for thermistors that has high heat resistance, is highly reliable, and can be formed into a film directly on, e.g., a film without firing; a method for producing said metal nitride material; and a film-type thermistor sensor. This metal nitride material used for thermistors is made of a metal nitride represented by the general formula (M1-vVv)xAly(N1-wOw)z (wherein 0.0 < v < 1.0, 0.70 ≤ y/(x+y) ≤ 0.98, 0.45 ≤ z ≤ 0.55, 0 < w ≤ 0.35, and x+y+z = 1), and has a single-phase wurtzite hexagonal crystal structure, wherein said M is Ti and/or Cr. This method for producing said metal nitride material for thermistors comprises a film formation step for forming a film by performing reactive sputtering in a nitrogen- and oxygen-containing atmosphere by using an M-V-Al alloy sputtering target, wherein said M is Ti and/or Cr.
(FR) L'invention concerne un matériau à base de nitrure métallique pour thermistor qui possède une grande résistance à la chaleur, qui est hautement fiable et qui peut être mis sous forme de film directement, par exemple, sur un film sans combustion, ainsi qu'un procédé de production du matériau à base de nitrure métallique et un capteur à thermistor de type film. Ce matériau à base de nitrure métallique utilisé pour des thermistors comprend un nitrure métallique correspondant à la formule générale (M1-vVv)xAly(N1-wOw)z (où 0,0 < v < 1,0, 0,70 ≤ y/(x+y) ≤ 0,98, 0,45 ≤ z ≤ 0,55, 0 < w ≤ 0,35, et x+y+z = 1), et possède une structure cristalline hexagonale de wurtzite à phase unique, tandis que M représente Ti et/ou Cr. Le procédé de production de ce matériau à base de nitrure métallique pour thermistors comprend une étape de formation de film pour former un film en effectuant une pulvérisation réactive dans une atmosphère contenant de l'azote et de l'oxygène en utilisant une cible de pulvérisation en alliage de M-V-Al, M représentant Ti et/ou Cr.
(JA)  フィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高いサーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサを提供する。 サーミスタに用いられる金属窒化物材料であって、一般式:(M1-vAl(N1-w(0.0<v<1.0、0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.45≦z≦0.55、0<w≦0.35、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相であり、前記Mが、Ti,Crの内の1種又は2種である。このサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法は、M-V-Al合金スパッタリングターゲットを用いて窒素及び酸素含有雰囲気中で反応 性スパッタを行って成膜する成膜工程を有しており、前記Mが、Ti,Crの内の1種又は2種である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)