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1. (WO2014196466) GROUP 13 NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND PRODUCTION METHOD FOR GROUP 13 NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/196466    International Application No.:    PCT/JP2014/064420
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 30.05.2014
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventors: KURAOKA Yoshitaka; (JP).
ICHIMURA Mikiya; (JP).
IWAI Makoto; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
61/831,671 06.06.2013 US
Title (EN) GROUP 13 NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND PRODUCTION METHOD FOR GROUP 13 NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE DE NITRURE DE MÉTAL DE GROUPE 13, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT COMPOSITE DE NITRURE DE MÉTAL DE GROUPE 13
(JA) 13族窒化物複合基板、半導体素子、および13族窒化物複合基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a group 13 nitride composite substrate capable of providing a semiconductor element using a conductive GaN substrate and suitable for high-frequency applications; and a semiconductor element manufactured using same. The group 13 nitride composite substrate comprises: a base material comprising GaN and having n-type conductivity; an underlayer being a group 13 nitride layer having a specific resistance of at least 1 × 106 Ωcm and formed upon the base material; a channel layer being a GaN layer having a total impurity concentration of no more than 1 × 1017/cm3 and formed upon the underlayer; and a barrier layer comprising a group 13 nitride having a composition comprising AlxInyGa1-x-yN (0≤x1, 0≤y≤1) and formed upon the channel layer.
(FR)L'invention concerne un substrat composite de nitrure de métal de groupe 13 capable de fournir un élément semi-conducteur utilisant un substrat conducteur GaN, et adapté à des applications à haute fréquence ; ainsi qu'un élément semi-conducteur fabriqué à l'aide de ce dernier. Le substrat composite de nitrure de métal de groupe 13 comporte : un matériau de base comportant du GaN et possédant une conductivité de type n ; une sous-couche consistant en une couche de nitrure de métal de groupe 13 possédant une résistance spécifique d'au moins 1 x 106Ωcm et formée sur le matériau de base ; une couche canal consistant en une couche de GaN possédant une concentration totale d'impureté inférieure à 1 x 1017/cm3 et formé sur la sous-couche ; une couche barrière comportant un nitrure de métal de groupe 13 possédant une composition comportant AlxInyGa1-x-yN (0≤x1, 0≤y≤1) et formée sur la couche canal.
(JA) 導電性のGaN基板を用いつつも高周波用途に適した半導体素子を実現可能な13族窒化物複合基板、および、これを用いて作製した半導体素子を提供する。13族窒化物複合基板が、GaNからなり、n型の導電性を呈する基材と、基材の上に形成された、1×10Ωcm以上の比抵抗を有する13族窒化物層である下地層と、下地層の上に形成された、不純物濃度の総和が1×1017/cm以下のGaN層であるチャネル層と、チャネル層の上に形成された、AlInGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)なる組成の13族窒化物からなる障壁層と、を備えるようにする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)