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Pub. No.:    WO/2014/196352    International Application No.:    PCT/JP2014/063317
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 20.05.2014
C23C 14/34 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: CHATANI, Munehito; (JP).
SEKI, Hitoshi; (JP).
MORI, Atsushi; (JP)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2013-118147 04.06.2013 JP
(JA) 薄膜形成方法
Abstract: front page image
(EN) Reactive sputtering, wherein a compound thin film having a stable film quality is obtained at a high film-forming speed. The thin film is formed by voltage monitoring control (VC) and gas flow rate monitoring control (QC1). The voltage monitoring control (VC) is control in which, in a first cycle time (tv), a subject voltage (V) is monitored, whereby the gas flow rate (Q) is adjusted so that the subject voltage (V) value approaches a target voltage (Vt) value. The gas flow rate monitoring control (QC1) is control in which, in a second cycle time (tq1 (> tv)), the gas flow rate (Q) is monitored, whereby the target voltage (Vt) for the subject voltage (V) is changed so that the gas flow rate (Q) value approaches a target gas flow rate (Qt) value.
(FR) La présente invention concerne une diffusion réactive, permettant d'obtenir une couche mince composée dont la qualité de couche est stable avec une vitesse de formation de couche élevée. La couche mince est formée par commande de la surveillance de la tension (VC) et commande de la surveillance du débit de gaz (QC1). La commande de la surveillance de la tension (VC) est une commande par laquelle, dans un premier cycle temporel (tv), une tension sujette (V) est surveillée, permettant ainsi d'ajuster le débit de gaz (Q) de telle sorte que la valeur de la tension sujette (V) approche une valeur de tension cible (Vt). La commande de la surveillance du débit de gaz (QC1) est une commande par laquelle, dans un second cycle temporel (tq1 (>tv)), le débit de gaz (Q) est surveillé, permettant ainsi de modifier la tension cible (Vt) pour la tension sujette (V) de telle sorte que la valeur du débit de gaz (Q) approche une valeur cible de débit de gaz (Qt).
(JA) 反応性スパッタリングにおいて、成膜速度が速く、膜質の安定した化合物薄膜を得る。電圧モニタリング制御(VC)、および、ガス流量モニタリング制御(QC1)により薄膜を形成する。電圧モニタリング制御(VC)は、第1のサイクルタイム(tv)において、ターゲット電圧(V)をモニタリングすることにより、ターゲット電圧(V)の値を目標電圧(Vt)の値に近づけるようにガス流量(Q)を調整する制御である。ガス流量モニタリング制御(QC1)は、第2のサイクルタイム(tq1(>tv))において、ガス流量(Q)をモニタリングすることにより、ガス流量(Q)の値を目標ガス流量(Qt)の値に近づけるようにターゲット電圧(V)の目標電圧(Vt)を変更する制御である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)