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1. (WO2014196299) COMPOSITION FOR SILICON WAFER POLISHING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/196299    International Application No.:    PCT/JP2014/062176
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 02.05.2014
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01), C09K 3/14 (2006.01)
Applicants: FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502 (JP).
TOAGOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1-14-1, Nishi-Shimbashi, Minato-ku, Tokyo 1058419 (JP) (KR, US only)
Inventors: TSUCHIYA, Kohsuke; (JP).
TANSHO, Hisanori; (JP).
ICHITSUBO, Taiki; (JP).
MORI, Yoshio; (JP)
Agent: ABE Makoto; (JP)
Priority Data:
2013-120328 07.06.2013 JP
2014-010836 23.01.2014 JP
Title (EN) COMPOSITION FOR SILICON WAFER POLISHING
(FR) COMPOSITION POUR LE POLISSAGE DE PLAQUETTE DE SILICIUM
(JA) シリコンウエハ研磨用組成物
Abstract: front page image
(EN)Provided is a composition for silicon wafer polishing, which is used in the presence of abrasive grains. This composition contains, a silicon wafer polishing accelerator, an amide group-containing polymer, and water. The amide group-containing polymer has a constituent unit (A) in the main chain. The constituent unit (A) contains a main chain-constituting carbon atom that constitutes the main chain of the amide group-containing polymer, and a secondary amide group or a tertiary amide group. A carbonyl carbon atom that constitutes the secondary amide group or the tertiary amide group is directly bonded to the main chain-constituting carbon atom.
(FR)L'invention concerne une composition pour le polissage de plaquette de silicium, laquelle est utilisée en présence de grains abrasifs. Cette composition contient un accélérateur de polissage de plaquette de silicium, un polymère contenant des groupes amide et de l'eau. Le polymère contenant des groupes amide a une unité constituante (A) dans la chaîne principale. L'unité constituante (A) contient un atome de carbone constituant la chaîne principale qui constitue la chaîne principale du polymère contenant des groupes amide et un groupe amide secondaire ou un groupe amide tertiaire. Un atome de carbone de carbonyle qui constitue le groupe amide secondaire ou le groupe amide tertiaire est lié directement à l'atome de carbone constituant la chaîne principale.
(JA) 砥粒の存在下で用いられるシリコンウエハ研磨用組成物が提供される。この組成物は、シリコンウエハ研磨促進剤と、アミド基含有ポリマーと、水と、を含む。また、前記アミド基含有ポリマーは、構成単位Aを主鎖に有する。前記構成単位Aは、前記アミド基含有ポリマーの主鎖を構成する主鎖構成炭素原子と、第二級アミド基または第三級アミド基と、を含む。そして、前記第二級アミド基または第三級アミド基を構成するカルボニル炭素原子は、前記主鎖構成炭素原子に直接結合している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)