WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014196297) UNDERFILL MATERIAL, LAMINATE SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/196297    International Application No.:    PCT/JP2014/062145
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 02.05.2014
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01), C09K 3/10 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-1-2,Shimohozumi,Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
Inventors: FUKUI, Akihiro; (JP).
TAKAMOTO, Naohide; (JP).
HANAZONO, Hiroyuki; (JP).
MORITA, Kosuke; (JP)
Agent: UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2013-120957 07.06.2013 JP
Title (EN) UNDERFILL MATERIAL, LAMINATE SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MATÉRIAU DE REMPLISSAGE DIÉLECTRIQUE, FEUILLE DE STRATIFIÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) アンダーフィル材、積層シート及び半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN) Provided are: an underfill material including a flux component, the underfill material having heat storage stability allowing flux activity to be maintained even after loading by a heat history, and having excellent non-migrating properties such that migration over time to another adhesive layer is suppressed; a laminate sheet provided with the underfill material; and a method for manufacturing a semiconductor device. The present invention is an underfill material including, as a flux component, an aromatic compound having a molecular weight of at least 300 and having at least one ester bond within the molecule. The flux component undergoes a reduction in weight of less than 50% relative to the initial content after the underfill material has been heated for one hour at 100°C.
(FR) L'invention concerne un matériau de remplissage diélectrique comportant un composant de flux, le matériau de remplissage diélectrique possédant une stabilité de stockage de chaleur permettant à l'activité de flux d'être maintenue même après la charge par un historique de chaleur, et possédant d'excellentes propriétés de non-migrations telles que la migration au cours du temps vers une autre couche adhésive est éliminée ; une feuille de stratifié comportant ledit matériau de remplissage diélectrique ; ainsi qu'un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur. La présente invention consiste en un matériau de remplissage diélectrique comportant, comme composant de flux, un composé aromatique possédant une masse moléculaire d'au moins 300 et possédant au moins une liaison ester dans la molécule. Le composant de flux subit une réduction en masse inférieure à 50% par rapport au contenu initial après le chauffage pendant une heure à 100°C du matériau de remplissage diélectrique.
(JA) フラックス成分を含み、熱履歴が負荷されてもフラックス活性の維持が可能な耐熱保存性と、他の粘着剤層への経時的な移行が抑制された良好な非移行性とを有するアンダーフィル材及びこれを備える積層シート、並びに半導体装置の製造方法を提供する。本発明は、フラックス成分として、分子量が300以上であり、かつ分子内にエステル結合を少なくとも1つ有する芳香族化合物を含むアンダーフィル材である。前記アンダーフィル材を100℃で1時間加熱した後の前記フラックス成分の初期含有量に対する重量減少率が50%未満であることが好ましい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)