WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2014196253) METHOD FOR FORMING p-TYPE SELECTIVE EMITTER AND SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/196253    International Application No.:    PCT/JP2014/059448
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 31.03.2014
IPC:
H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/225 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: TAKAHASHI Mitsuhito; (JP).
SHIRAI Shozo; (JP).
OTSUKA Hiroyuki; (JP)
Agent: KOJIMA Takashi; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Priority Data:
2013-119755 06.06.2013 JP
Title (EN) METHOD FOR FORMING p-TYPE SELECTIVE EMITTER AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'ÉMETTEUR SÉLECTIF DE TYPE p, ET CELLULE SOLAIRE
(JA) p型選択エミッタ形成方法及び太陽電池
Abstract: front page image
(EN)A method for forming a p-type selective emitter, which comprises: a step wherein a film of an organosilicon compound is formed on a light-receiving surface of a silicon substrate; a step wherein a region of the film of an organosilicon compound is removed so as to form an opening therein, in said region a high-concentration diffusion layer being to be formed; and a step wherein a first dopant coating agent is applied so as to cover the film of an organosilicon compound and the opening, and a first dopant is diffused into the silicon substrate through the film of an organosilicon compound and the opening, so that a high-concentration diffusion layer is formed in a portion where the first dopant is diffused through the opening and a low-concentration diffusion layer is formed in a portion where the first dopant is diffused through the film of an organosilicon compound. By this method for forming a p-type selective emitter, a solar cell that has a p-type selective emitter layer having a high-concentration diffusion layer and a low-concentration diffusion layer can be easily produced. Consequently, a high-performance solar cell can be provided, while maintaining the production yield at a high level.
(FR)Le procédé de formation d'émetteur sélectif de type p de l'invention inclut : une étape au cours de laquelle une membrane à base de composé silicium organique, est formée côté face réceptrice de lumière d'un substrat de silicium; une étape au cours de laquelle une région destinée à la formation d'une couche de diffusion à haute concentration dans cette membrane à base de composé silicium organique, est retirée, et une partie ouverture est ainsi formée dans cette région; et une étape au cours de laquelle un premier agent de revêtement de dopant est appliqué de manière à recouvrir lesdites membrane à base de composé silicium organique et partie ouverture, un premier dopant est diffusé sur ledit substrat de silicium à partir desdites membrane à base de composé silicium organique et partie ouverture, et une couche de diffusion à haute concentration ainsi qu'une couche de diffusion à faible concentration sont respectivement formées dans une portion de diffusion du premier dopant par ladite partie ouverture, et dans une portion de diffusion du premier dopant via ladite membrane à base de composé silicium organique. Ainsi, il est possible de fabriquer simplement une cellule solaire possédant une couche d'émetteur sélectif de type p dotée d'une couche de diffusion à haute concentration et d'une couche de diffusion à faible concentration, et de fournir une cellule solaire de hautes performances tout en maintenant le rendement de fabrication à haut niveau.
(JA) シリコン基板の受光面側に有機ケイ素化合物の膜を形成する工程と、この有機ケイ素化合物の膜のうち高濃度拡散層を形成すべき領域を除去して当該領域に開口部を形成する工程と、次いで前記有機ケイ素化合物の膜及び開口部を覆って第一のドーパント塗布剤を塗布し、前記有機ケイ素化合物及び開口部から前記シリコン基板に第一のドーパントを拡散させ、前記開口部から第一のドーパントを拡散した部分に高濃度拡散層を、前記有機ケイ素化合物の膜を通して第一のドーパントを拡散した部分に低濃度拡散層を形成する工程を含むp型選択エミッタ形成方法により、高濃度拡散層と低濃度拡散層とを有するp型選択エミッタ層を有する太陽電池を簡便に製造することができ、製造歩留まりを高レベルで維持しながら高性能の太陽電池を提供できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)