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1. (WO2014195518) GAS CONFIGURATION FOR MAGNETRON DEPOSITION SYSTEMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/195518    International Application No.:    PCT/EP2014/061950
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 09.06.2014
IPC:
H01J 37/32 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Applicants: SOLERAS ADVANCED COATINGS BVBA [BE/BE]; E3-laan 75-79 B-9800 Deinze (BE)
Inventors: DE BOSSCHER, Wilmert; (BE)
Agent: DENK IP; Leuvensesteenweg 203 B-3190 Boortmeerbeek (BE)
Priority Data:
13171157.4 07.06.2013 EP
Title (EN) GAS CONFIGURATION FOR MAGNETRON DEPOSITION SYSTEMS
(FR) CONFIGURATION GAZ POUR SYSTÈMES DE DÉPÔT MAGNÉTRON
Abstract: front page image
(EN)A magnetron deposition system for depositing material is disclosed. The magnetron deposition system comprises at least two magnetron units, each magnetron unit comprising a magnet configuration, the at least two magnetron units being arranged so that the magnetron units share a common plasma in a plasma region between the at least two magnetron units. The system furthermore comprises at least one gas inlet for supplying a gas. The at least one gas inlet for supplying a gas and the at least two magnetron units thereby are arranged for directly injecting the first gas in the plasma region between the two magnetron units.
(FR)La présente invention concerne un système de dépôt magnétron pour le dépôt d'un matériau. Le système de dépôt magnétron comprend au moins deux unités magnétron, chaque unité magnétron comprenant une configuration d'aimants, les au moins deux unités magnétron étant agencées de telle sorte que les unités magnétron partagent un plasma commun dans une région de plasma entre les au moins deux unités magnétron. Le système comprend en outre au moins un orifice d'admission de gaz pour l'amenée d'un gaz. L'au moins un orifice d'admission de gaz pour l'amenée d'un gaz et les au moins deux unités magnétron étant ainsi agencés de façon à injecter directement le premier gaz dans la région de plasma entre les deux unités magnétron.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)