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1. (WO2014195517) MAGNETIC CONFIGURATION FOR A MAGNETRON SPUTTER DEPOSITION SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/195517    International Application No.:    PCT/EP2014/061949
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 09.06.2014
IPC:
H01J 37/32 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Applicants: SOLERAS ADVANCED COATINGS BVBA [BE/BE]; E3-laan 75-79 B-9800 Deinze (BE)
Inventors: DE BOSSCHER, Wilmert; (BE)
Agent: DENK IP; Leuvensesteenweg 203 B-3190 Boortmeerbeek (BE)
Priority Data:
13171155.8 07.06.2013 EP
Title (EN) MAGNETIC CONFIGURATION FOR A MAGNETRON SPUTTER DEPOSITION SYSTEM
(FR) CONFIGURATION MAGNÉTIQUE POUR UN SYSTÈME DE DÉPÔT PAR PULVÉRISATION MAGNÉTRON
Abstract: front page image
(EN)A sputter deposition magnetron system for sputtering material, the sputter deposition magnetron system comprising at least a first and a second sputter magnetron unit. Each of the magnetron units (102, 106) comprise a magnet configuration and a mounting element for mounting a target (101, 105) so that the first and second magnet configuration contribute to the formation and confinement of a plasma allowing sputtering of the first respectively second target (101, 105). The sputter deposition magnetron system furthermore comprises at least one extra magnet configuration (103) distanced from the mounting element for targets, whereby the first, the second and the at least one magnet configuration are arranged for each contributing to a confined plasma configuration wherein at least part of the plasma is shared across the first and the second sputter magnetron unit.
(FR)L'invention porte sur un système de magnétron de dépôt par pulvérisation pour pulvériser un matériau, le système de magnétron de dépôt par pulvérisation comprenant au moins une première et une seconde unité de magnétron par pulvérisation. Chacune des unités de magnétron (102, 106) comprennent une configuration d'aimant et un élément de montage pour le montage d'une cible (101, 105) de telle sorte que les première et seconde configurations d'aimant contribuent à la formation et au confinement d'un plasma permettant une pulvérisation de la première respectivement seconde cible (101, 105). Le système de magnétron de dépôt par pulvérisation comprend en outre au moins une configuration d'aimant supplémentaire (103) distante de l'élément de montage pour des cibles, selon laquelle la première, la seconde et l'au moins une configuration d'aimant sont agencées pour chacune contribuer à une configuration de plasma confinée dans laquelle au moins une partie du plasma est partagée à travers la première et la seconde unité de magnétron par pulvérisation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)