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1. (WO2014194558) THIN-FILM FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND DRIVING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC PRODUCT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/194558    International Application No.:    PCT/CN2013/080789
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 05.08.2013
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.1188, Hezuo Rd., (West Zone), Hi-tech Development Zone Chengdu, Sichuan 611731 (CN)
Inventors: WU, Bo; (CN).
QI, Xiaojing; (CN)
Agent: DRAGON INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; Maples International Center 10F, Bldg.2, No.32 Xizhimen North Street, Haidian District Beijing 100082 (CN)
Priority Data:
201310226377.4 07.06.2013 CN
Title (EN) THIN-FILM FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND DRIVING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC PRODUCT
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE PILOTAGE, SUBSTRAT DE MATRICE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PRODUIT ÉLECTRONIQUE
(ZH) 薄膜场效应晶体管及其驱动方法、阵列基板、显示装置、电子产品
Abstract: front page image
(EN)A thin-film field-effect transistor and driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product. The thin-film field-effect transistor comprises a gate metal layer (10), a semiconductor layer (50) and a guide layer (30). When an electric field is formed between the gate metal layer (10) and the semiconductor (50), an electric field is also formed between the guide layer (30) and the gate metal layer (10). Through the electric field between the guide layer (30) and the gate metal layer (10), the semiconductor layer (50) accumulatively enhances electrons or holes of the electric field between the gate metal layer (10) and the semiconductor layer (50). The current feature of the thin-film field-effect transistor is influenced by modifying the structure of the thin-film field-effect transistor, and the threshold voltage and leak current are reduced.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ à couche mince et son procédé de pilotage, un substrat de matrice, un dispositif d'affichage et un produit électronique. Le transistor à effet de champ à couche mince comprend une couche de métal de grille (10), une couche semi-conductrice (50) et une couche de guide (30). Quand un champ électrique est formé entre la couche de métal de grille (10) et la couche semi-conductrice (50), un champ électrique est aussi formé entre la couche de guide (30) et la couche de métal de grille (10). Grâce au champ électrique entre la couche de guide (30) et la couche de métal de grille (10), la couche semi-conductrice (50) renforce par accumulation les électrons ou trous du champ électrique entre la couche de métal de grille (10) et la couche semi-conductrice (50). L'attribut de courant du transistor à effet de champ à couche mince est influencé en modifiant la structure du transistor à effet de champ à couche mince, et la tension de seuil et le courant de fuite sont réduits.
(ZH)一种薄膜场效应晶体管及其驱动方法、阵列基板、显示装置、电子产品。所述薄膜场效应晶体管包括栅极金属层(10)及半导体层(50),还包括:导流层(30),所述栅极金属层(10)与所述半导体层(50)之间形成电场时,所述导流层(30)与所述栅极金属层(10)之间也形成电场,利用所述导流层(30)与所述栅极金属层(10)之间的电场,所述半导体层(50)累积加强所述栅极金属层(10)与所述半导体层(50)之间电场的电子或空穴。所述薄膜场效应晶体管本身结构上的改进影响其电流特性,实现阈值电压及漏电流的降低。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)