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1. (WO2014194557) SILICON SOLAR ENERGY BATTERY WITH POSITIVE ELECTRODE COATED BY FILM AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/194557 International Application No.: PCT/CN2013/080451
Publication Date: 11.12.2014 International Filing Date: 30.07.2013
IPC:
H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
Applicants: NANJING SUNPORT POWER CO. LTD.[CN/CN]; 8th Building, Nanjing Membrane Technology Industry Park No. 1 Huqiao East Road, Pukou District Nanjing, Jiangsu 211800, CN
Inventors: LI, Zhilei; CN
LU, Zhonglin; CN
SHENG, Wenting; CN
ZHANG, Fengming; CN
Agent: NANJING SUGAO PATENT AND TRADEMARK FIRM (ORDINARY PARTNERSHIP); Suite 1912 Longtai Mansion, No.198 Zhongshandonglu, Baixia Nanjing, Jiangsu 210005, CN
Priority Data:
201310218746.504.06.2013CN
Title (EN) SILICON SOLAR ENERGY BATTERY WITH POSITIVE ELECTRODE COATED BY FILM AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE AU SILICIUM À ÉLECTRODE POSITIVE REVÊTUE D'UN FILM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺
Abstract: front page image
(EN) A silicon solar energy battery with a positive electrode coated by a film and a manufacturing process thereof. When an MWT back contact solar energy battery is manufactured, an antireflection film (2) is totally coated on a positive electrode (3), i.e., the positive electrode does not need to penetrate the antireflection film and is in direct contact with a silicon chip (1), so that the series resistance is reduced, and the conversion efficiency of the battery is improved. At the same time, the penetrating depth in the printing of a positive electrode silver slurry is also easier to control, so that the process is simplified. The positive electrode is not in direct contact with the outside world when being totally coated by the antireflection film, thereby improving the corrosion resistance and the oxidation resistance of the positive electrode.
(FR) Cette invention concerne une cellule solaire au silicium comprenant une électrode positive revêtue d'un film et son procédé de fabrication. Lors de la fabrication d'une cellule solaire à contact arrière de type à contacts traversants entièrement métallisés (MWT), un film antiréfléchissant (2) est déposé sur une électrode positive (3) de manière à la recouvrir entièrement, c'est-à-dire qu'il n'est pas nécessaire que l'électrode positive pénètre dans le film antiréfléchissant et elle est en contact direct avec une puce au silicium (1). De cette façon, la résistance série est réduite et l'efficacité de conversion de la cellule est améliorée. Par ailleurs, le procédé selon l'invention permet de contrôler plus facilement la profondeur de pénétration lors de l'impression d'une électrode positive au moyen d'une suspension contenant de l'argent, de manière à simplifier le procédé. Le revêtement de film antiréfléchissant évite le contact direct de l'électrode positive avec l'environnement extérieur, de façon à améliorer la résistance à la corrosion et la résistance à l'oxydation de l'électrode positive.
(ZH) 一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺,其中在制造MWT背接触太阳能电池时,将减反射膜(2)完全覆盖住正面电极(3),即正面电极不需要穿透减反射膜直接与硅片(1)接触,降低了串联电阻,提高了电池转换效率。同时印刷正面电极银浆时的穿透深度也更加容易控制,使得工艺简化。正面电极在减反射膜的完全覆盖下,不与外界直接接触,提高了该正面电极的抗腐蚀性和抗氧化能力。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)