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1. (WO2014193503) HIGH LINEARITY VARIABLE CAPACITOR ARRAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/193503    International Application No.:    PCT/US2014/018673
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 26.02.2014
IPC:
H03H 7/38 (2006.01), H01L 23/64 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01G 4/38 (2006.01)
Applicants: NEWLANS, INC. [US/US]; 43 Nagog Park, Suite 215 Acton, Massachusetts 01720 (US)
Inventors: GUPTA, Dev V.; (US).
LAI, Zhiguo; (US)
Agent: CHRISTENSEN, Michael, R.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP 2040 Main Street, 14th Floor Irvine, CA 92614 (US)
Priority Data:
61/828,107 28.05.2013 US
61/857,446 23.07.2013 US
14/014,496 30.08.2013 US
Title (EN) HIGH LINEARITY VARIABLE CAPACITOR ARRAY
(FR) RÉSEAU DE CONDENSATEURS VARIABLES À HAUTE LINÉARITÉ
Abstract: front page image
(EN)A highly linear, variable capacitor array (400) constructed from multiple cells (100-0, 100_ 1,... 100_ N). Each cell includes a pair of passive, two-terminal capacitor components connected in antiparallel. The capacitor components may be Metal Oxide Semicondutor, MOS, capacitors. A control circuit (410) applies bias voltages (411_0, 411 1,... 411_ N) to bias voltage terminals associated with each capacitor component, to thereby control the overall capacitance of the array. The two capacitors in each cell are connected in anti-parallel to reduce the cell's and the array's voltage coefficient of capacitance. MOS capacitors are preferably operated in inversion or accumulation mode.
(FR)La présente invention concerne un réseau de condensateurs variables (400) hautement linéaire conçu à partir de multiples cellules (100-0, 100_ 1,... 100_ N). Chaque cellule comprend une paire d'éléments condensateurs passifs à deux bornes connectés en antiparallèle. Lesdits éléments condensateurs peuvent être des condensateurs métal-oxyde-semi-conducteur (MOS). Un circuit de commande (410) applique des tensions de polarisation (411_0, 411 1,... 411_ N) vers des bornes de tension de polarisation associées à chaque élément condensateur, ce qui permet de réguler la capacité globale du réseau. Les deux condensateurs dans chaque cellule sont connectés en antiparallèle afin de réduire le coefficient de tension de la capacité de la cellule et du réseau. Les condensateurs MOS fonctionnent de préférence en mode inversion ou accumulation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)