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1. (WO2014192969) SEMICONDUCTOR DEVICE AND CURABLE SILICONE COMPOSITION FOR SEALING SEMICONDUCTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/192969    International Application No.:    PCT/JP2014/064798
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 28.05.2014
IPC:
H01L 23/29 (2006.01), C08K 5/548 (2006.01), C08L 83/05 (2006.01), C08L 83/07 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Applicants: DOW CORNING TORAY CO., LTD. [JP/JP]; 1-5-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: MIYAMOTO, Yusuke; (JP).
YOSHIDA, Hiroaki; (JP)
Priority Data:
2013-112503 29.05.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND CURABLE SILICONE COMPOSITION FOR SEALING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET COMPOSITION DE SILICIUM DURCISSABLE POUR SCELLER DE MANIÈRE ÉTANCHE UN ÉLÉMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device in which a gold-plated lead or a substrate and a semiconductor element are sealed by cured silicone, wherein: the cured silicone is a cured product of a hydrosilylation-reaction-curable silicone composition comprising at least (A) an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups in a molecule, (B) an organohydrogenpolysiloxane having at least two silicon atom-bonded hydrogen atoms in a molecule, (C) an organosilicon compound that is bonded with a sulfur atom and that has a silicon atom-bonded hydrolyzable group, and (D) a platinum-based catalyst for a hydrosilylation reaction; and the semiconductor device is highly reliable after a moisture absorption reflow test.
(FR)L’invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs dans lequel un fil conducteur plaqué or ou un substrat et un élément de semi-conducteur sont scellés de manière étanche par du silicium durci, dans lequel : le silicium durci est un produit durci d’une composition de silicium durcissable par réaction d’hydrosilylation comprenant au moins (A) un organopolysiloxane ayant au moins deux groupes alcényles dans une molécule, (B) un organohydrogénopolysiloxane ayant au moins deux atomes d’hydrogène liés par un atome de silicium dans une molécule, (C) un composé d’organosilicium qui est lié à un atome de soufre et qui possède un groupe hydrolysable lié par un atome de silicium, et (D) un catalyseur à base de platine pour une réaction d’hydrosilylation ; et le dispositif à semi-conducteurs est très fiable après un test de refusion à absorption d’humidité.
(JA) 金メッキされたリードまたは基板と半導体素子をシリコーン硬化物で封止した半導体装置であって、前記シリコーン硬化物が、(A)一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、(C)硫黄原子を結合し、ケイ素原子結合加水分解性基を有する有機ケイ素化合物、および(D)ヒドロシリル化反応用白金系触媒から少なくともなるヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物の硬化物である、吸湿リフロー試験後の信頼性が優れる半導体装置。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)