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1. (WO2014192821) LED PATTERN WAFER, LED EPITAXIAL WAFER, AND PRODUCTION METHOD FOR LED EPITAXIAL WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/192821 International Application No.: PCT/JP2014/064153
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 28.05.2014
IPC:
H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION[JP/JP]; 1-105, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018101, JP
Inventors: KOIKE, Jun; JP
Agent: AOKI, Hiroyoshi; 5F, JS Ichigaya Bldg., 5-1, Goban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020076, JP
Priority Data:
2013-11602431.05.2013JP
2013-11602531.05.2013JP
Title (EN) LED PATTERN WAFER, LED EPITAXIAL WAFER, AND PRODUCTION METHOD FOR LED EPITAXIAL WAFER
(FR) PLAQUETTE À MOTIFS DE DEL, PLAQUETTE ÉPITAXIQUE DE DEL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR UNE PLAQUETTE ÉPITAXIQUE DE DEL
(JA) LED用パタンウェハ、LED用エピタキシャルウェハ及びLED用エピタキシャルウェハの製造方法
Abstract: front page image
(EN) An LED pattern wafer (10) comprising an uneven structure A (20) having a substantially n-times symmetrical array on at least part of the main surface thereof. At least part of the uneven structure A (20) has a rotation shift angle (Θ) for an array axis (A) of the uneven structure A (20) relative to the crystal axis direction inside the main surface, that fulfills 0° < Θ ≤ (180/n)°. A protrusion peak of the uneven structure A (20) is a corner section having a radius of curvature exceeding 0. Laminated upon the uneven structure A (20) are, in order, a first semiconductor layer (30), a light-emitting semiconductor layer (40), and a second semiconductor layer (50), configuring an LED epitaxial wafer (100). As a result, an LED pattern wafer and an LED epitaxial wafer having improved cracking and internal quantum efficiency (IQE) can be provided.
(FR) L'invention concerne une plaquette à motifs (10) de DEL comprenant une structure irrégulière A (20) ayant une matrice sensiblement symétrique n fois sur au moins une partie de sa surface principale. Au moins une partie de la structure irrégulière A (20) a un angle de décalage de rotation (Θ) pour un axe de matrice (A) de la structure irrégulière A (20) par rapport à la direction d'axe cristallin à l'intérieur de la surface principale, qui remplit la condition 0° < Θ ≤ (180/n)°. Un pic de saillie de la structure irrégulière A (20) est une section de coin dont le rayon de courbure est supérieur à 0. Sont stratifiées sur la structure irrégulière A (20), dans l'ordre, une première couche semi-conductrice (30), une couche semi-conductrice électroluminescente (40), et une seconde couche semi-conductrice (50), constituant une plaquette épitaxique (100) de DEL. En résultat, une plaquette à motifs de DEL et une plaquette épitaxique de DEL ayant une résistance aux fissures et un rendement quantique interne (IQE) améliorés peuvent être réalisées.
(JA)  LED用パタンウェハ(10)は、主面の少なくとも一部に実質的にn回対称の配列を有する凹凸構造A(20)を具備し、凹凸構造A(20)の少なくとも一部は、主面内における結晶軸方向に対する凹凸構造A(20)の配列軸Aの回転シフト角Θが、0°<Θ≦(180/n)°を満たすと共に、凹凸構造A(20)の凸部頂部は、曲率半径が0超の角部である。凹凸構造A(20)の上には、第1半導体層(30)、発光半導体層(40)及び第2半導体層(50)がこの順番に積層され、LED用エピタキシャルウェハ(100)を構成する。クラック及び内部量子効率IQEの改善されたLED用パタンウェハ及びLED用エピタキシャルウェハを提供できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)