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1. (WO2014192739) SOLAR CELL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, SOLAR-CELL MODULE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/192739    International Application No.:    PCT/JP2014/063962
Publication Date: 04.12.2014 International Filing Date: 27.05.2014
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01), H01L 31/072 (2012.01)
Applicants: KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP)
Inventors: ADACHI, Daisuke; (JP).
UZU, Hisashi; (JP)
Agent: SHINTAKU, Masato; (JP)
Priority Data:
2013-113524 29.05.2013 JP
Title (EN) SOLAR CELL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, SOLAR-CELL MODULE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CELLULE SOLAIRE AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, ET MODULE DE CELLULES SOLAIRES AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This solar cell has the following: a photoelectric conversion unit (50) that has a first principal surface and a second principal surface; and collecting electrodes (70) formed on the first principal surface of the photoelectric conversion unit (50). The photoelectric conversion unit (50) has the following: a layered semiconductor part (40) containing semiconductor junctions; a first electrode layer (6a) formed on the first-principal-surface side of the layered semiconductor part; and a second electrode layer (6b, 8) formed on the second-principal-surface side of the layered semiconductor part. The first electrode layer (6a) is transparent. Each collecting electrode (70) comprises a first conductive layer (71) and a second conductive layer (72). In this manufacturing method, an insulating layer (9) is formed on top of the first electrode layer (6a) and the parts of said electrode layer that are exposed to the surface in regions where said insulating layer is not formed are removed, eliminating short-circuit paths between the first electrode layer and the second electrode layer. The second electrode layer (72) is formed via plating.
(FR)La cellule solaire de l'invention possède : une partie de conversion photoélectrique (50) possédant une première et une seconde face principale ; et une électrode collectrice (70) formée sur la première face principale de la partie de conversion photoélectrique (50). La partie de conversion photoélectrique (50) possède : une partie stratifiée semi-conductrice (40) contenant une liaison semi-conductrice ; une première couche d'électrode (6a) formée côté première face principale de la partie stratifiée semi-conductrice ; et des secondes couches d'électrode (6b, 8) formées côté seconde face principale de la partie stratifiée semi-conductrice. La première couche d'électrode (6a) consiste en une couche d'électrode transparente. L'électrode collectrice (70) contient une première et une seconde couche conductrice (71, 72). Selon le procédé de fabrication de l'invention, une couche isolante (9) est formée sur la première couche d'électrode (6a). Les couches d'électrode exposées à la surface d'une région de non formation de couche isolante, sont supprimées, et les courts-circuits de la première et de la seconde couche d'électrode, sont ainsi également supprimés. La seconde couche conductrice (72) est formée par placage.
(JA) 本発明の太陽電池は、第一の主面および第二の主面を有する光電変換部(50)と、光電変換部(50)の第一の主面上に形成された集電極(70)とを有する。光電変換部(50)は、半導体接合を含む半導体積層部(40)と、半導体積層部の第一の主面側に形成された第一電極層(6a)と、半導体積層部の第二の主面側に形成された第二電極層(6b,8)とを有し、第一電極層(6a)は透明電極層である。集電極(70)は、第一導電層(71)と第二導電層(72)とを含む。本発明の製造方法では、第一電極層(6a)上に、絶縁層(9)が形成され、絶縁層非形成領域の表面に露出している電極層が除去されることにより、第一電極層と第二電極層との短絡が除去される。第二導電層(72)はめっきにより形成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)